[實用新型]絕緣支撐結構、鍍膜裝置和沉積裝置有效
| 申請號: | 202222766200.0 | 申請日: | 2022-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN218321632U | 公開(公告)日: | 2023-01-17 |
| 發明(設計)人: | 林佳繼;張武;劉群 | 申請(專利權)人: | 深圳市拉普拉斯能源技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/50;H01L31/18;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣 支撐 結構 鍍膜 裝置 沉積 | ||
本實用新型提供了一種絕緣支撐結構、鍍膜裝置和沉積裝置,所述絕緣支撐結構包括支撐主體和套體,所述支撐主體的一側支撐側開設有嵌合凹槽,另一側支撐側設置有嵌合凸起;所述套體套設所述支撐主體,所述套體和所述支撐主體之間設置有間隔件,所述間隔件用于連接所述套體與所述支撐主體,并且所述套體與所述支撐主體之間形成具有連通間隙的夾層空間,所述連通間隙用于連通所述夾層空間與所述套體的外部空間。本實用新型采用嵌合凸起以及嵌合凹槽進行配合,實現多級電極板之間的絕緣支撐,取消絕緣桿結構,通過設置夾層空間,避免沉積連續膜結構造成的短路問題。
技術領域
本實用新型屬于鍍膜技術領域,涉及一種絕緣支撐結構、鍍膜裝置和沉積裝置。
背景技術
太陽能電池是多層器件,典型的太陽能電池通常包括p-i-n疊層結構,p-i-n疊層結構的各層是利用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝,在大型PECVD沉積設備中沉積形成,例如在反應室中平行設置大面積激勵電極板和接地電極板,電極板表面可放置大面積玻璃基板,反應氣體由進氣口進入反應室,射頻激勵電源向激勵電極板提供射頻能量,將反應氣體電離為等離子體,在基板表面沉積薄膜,剩余的氣體由出氣口排出,該設備無法實現大批量生產,導致沉積制備成本高。
中國專利CN201183822Y公開了一種薄膜沉積裝置,所述裝置包括箱體、反應室和射頻激勵源,所述反應室置于所述箱體內部,所述箱體具有氣體進入口和氣體排出口,所述反應室包括金屬上橫梁、下橫梁和與所述上橫梁、下橫梁連接的金屬側壁,所述上橫梁和下橫梁之間具有第一電極板和第二電極板,各所述第一電極板和第二電極板彼此電絕緣且等距、平行、間隔交替排列,反應氣體由所述進入口進入所述第一電極板和第二電極板之間的空間,并經所述氣體排出口排出箱體。該薄膜沉積裝置能夠大幅度提高薄膜沉積、特別是大面積薄膜沉積的效率,并可降低沉積層之間的交叉污染。
對于沉積制備導電性好的膜層,沉積過程中容易發生寄生沉積連續膜的結構,導致短路或漏電,嚴重影響電極陣列長期放電的穩定性。因此,如何提供一種沉積裝置中的絕緣支撐結構,有效避免沉積后短路和漏電問題,并實現大批量沉積制備,成為目前迫切需要解決的技術問題。
實用新型內容
針對現有技術存在的不足,本實用新型的目的在于提供一種絕緣支撐結構、鍍膜裝置和沉積裝置,采用嵌合凸起以及嵌合凹槽進行配合,實現多級電極板之間的絕緣支撐,從而取消絕緣桿結構,進一步地,絕緣支撐結構兩側的電極板均形成夾層空間,有效避免沉積連續膜結構造成的短路問題,具有結構簡單和便于組裝的特點。
為達此目的,本實用新型采用以下技術方案:
第一方面,本實用新型提供了一種絕緣支撐結構,所述絕緣支撐結構包括支撐主體和套體,所述支撐主體的一側支撐側開設有嵌合凹槽,另一側支撐側設置有嵌合凸起;所述套體套設所述支撐主體,所述套體和所述支撐主體之間設置有間隔件,所述間隔件用于連接所述套體與所述支撐主體,并且所述套體與所述支撐主體之間形成具有連通間隙的夾層空間,所述連通間隙用于連通所述夾層空間與所述套體的外部空間。
本實用新型中的絕緣支撐結構采用的是嵌合凹槽和嵌合凸起的結構配合,在使用過程中,對于多個電極板間隔層疊設置的結構,相鄰兩個電極板之間設置絕緣支撐結構,利用相鄰兩個絕緣支撐結構的嵌合凹槽和嵌合凸起進行嵌合,實現多個電極板的支撐,從而取消了貫穿多個電極板的絕緣桿結構,進一步地,各個電極板之間的絕緣支撐結構均為獨立結構,便于拆卸、組裝和更換。
此外,本實用新型中還在支撐主體的外周環繞設置套體,并形成具有連通間隙的夾層空間,使夾層空間與套體外部空間連通,沉積過程中即使連續膜生長至絕緣支撐結構上,由于連通間隙和夾層空間的存在,也不能將兩個基板連通,進而防止導電膜使電極板之間發生漏電或短路的問題,影響電極陣列長期放電穩定性。
需要說明的是,本實用新型中對于絕緣支撐結構的尺寸不做具體要求和特殊限定,本領域技術人員可根據相應的使用要求合理選擇。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





