[實用新型]一種濕法蝕刻的加熱裝置有效
| 申請號： | 202222697470.0 | 申請日： | 2022-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN218447839U | 公開（公告）日： | 2023-02-03 |
| 發明（設計）人： | 李余才;蘇財寶 | 申請（專利權）人： | 合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 張亞靜 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 濕法 蝕刻 加熱 裝置 | ||
1.一種濕法蝕刻的加熱裝置，其特征在于，包括旋轉臺、安裝板和加熱器件；所述旋轉臺的內部設置有空腔，所述旋轉臺的上端面設置有用于固定晶圓的固定結構；所述安裝板固定在所述空腔內或所述空腔的開口位置處，所述加熱器件朝向晶圓方向安裝在所述安裝板上。
2.如權利要求1所述的一種濕法蝕刻的加熱裝置，其特征在于，所述加熱器件包括多個加熱源，且多個所述加熱源呈環狀分布在安裝板上。
3.如權利要求2所述的一種濕法蝕刻的加熱裝置，其特征在于，所述加熱源呈環狀分布有多層，多層之間呈同心圓分布。
4.如權利要求3所述的一種濕法蝕刻的加熱裝置，其特征在于，多層加熱源的最內層和最外層之間沿徑向設置有多個導軌；最內層和最外層之間的加熱源可移動式的安裝在所述導軌上。
5.如權利要求4所述的一種濕法蝕刻的加熱裝置，其特征在于，所述最內層和/或所述最外層的加熱源在所述安裝板上的位置固定不變。
6.如權利要求4所述的一種濕法蝕刻的加熱裝置，其特征在于，所述最外層的加熱源所在圓的直徑等于或大于所述晶圓的直徑。
7.如權利要求1所述的一種濕法蝕刻的加熱裝置，其特征在于，所述旋轉臺的軸向設置有第一通孔，所述第一通孔和所述空腔連通，所述第一通孔和所述空腔用于氣體流通。
8.如權利要求7所述的一種濕法蝕刻的加熱裝置，其特征在于，所述空腔的開口形狀為圓形，所述安裝板的形狀為圓盤形，所述安裝板設置有用于氣體流通的第二通孔。
9.如權利要求8所述的一種濕法蝕刻的加熱裝置，其特征在于，所述第二通孔設置在所述安裝板的中間位置，所述第一通孔和所述第二通孔同軸設置。
10.如權利要求2所述的一種濕法蝕刻的加熱裝置，其特征在于，所述加熱源為LED燈。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
