[實用新型]一種大平面多尺寸兼容真空平臺結構有效
| 申請號: | 202222688655.5 | 申請日: | 2022-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN218351434U | 公開(公告)日: | 2023-01-20 |
| 發明(設計)人: | 楊勇 | 申請(專利權)人: | 蘇州矩浪科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/68;H01L33/00 |
| 代理公司: | 蘇州言思嘉信專利代理事務所(普通合伙) 32385 | 代理人: | 徐永雷 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市高*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 平面 尺寸 兼容 真空 平臺 結構 | ||
1.一種大平面多尺寸兼容真空平臺結構,包括平臺板(1)和歸正避讓槽(2),其特征在于:所述平臺板(1)的內部安裝有等間距的五組歸正避讓槽(2),且歸正避讓槽(2)的兩端皆延伸至平臺板(1)的外部,所述平臺板(1)的內部安裝有等間距的多組傳動輪避讓槽(3),且傳動輪避讓槽(3)的兩端皆延伸至平臺板(1)的外部,所述平臺板(1)的內部設有多組真空槽(5),且真空槽(5)的頂端皆延伸至平臺板(1)的外部,所述真空槽(5)的內部皆安裝有真空螺紋孔(6),且真空螺紋孔(6)的底端皆延伸至平臺板(1)的外部,所述真空螺紋孔(6)下方的平臺板(1)底端皆安裝有氣管接頭(9),且氣管接頭(9)皆延伸至平臺板(1)的內部。
2.根據權利要求1所述的一種大平面多尺寸兼容真空平臺結構,其特征在于:所述平臺板(1)的外部設有玻璃大板(13),且玻璃大板(13)與平臺板(1)活動連接。
3.根據權利要求2所述的一種大平面多尺寸兼容真空平臺結構,其特征在于:所述玻璃大板(13)一側的平臺板(1)外部設有玻璃中板(14),且玻璃中板(14)與平臺板(1)活動連接。
4.根據權利要求3所述的一種大平面多尺寸兼容真空平臺結構,其特征在于:所述玻璃中板(14)一側的平臺板(1)外部設有玻璃小板(15),且玻璃小板(15)與平臺板(1)活動連接。
5.根據權利要求1所述的一種大平面多尺寸兼容真空平臺結構,其特征在于:所述平臺板(1)的內部設有小板區域(12),且小板區域(12)的尺寸與玻璃小板(15)一樣。
6.根據權利要求5所述的一種大平面多尺寸兼容真空平臺結構,其特征在于:所述小板區域(12)一側的平臺板(1)內部設有中板區域(11),且中板區域(11)的尺寸與玻璃中板(14)一樣,所述中板區域(11)一側的平臺板(1)內部設有大板區域(10),且大板區域(10)的尺寸與玻璃大板(13)一樣。
7.根據權利要求1所述的一種大平面多尺寸兼容真空平臺結構,其特征在于:所述平臺板(1)的內部安裝有等間距的多組放置槽(8),且放置槽(8)的頂端皆延伸至平臺板(1)的外部。
8.根據權利要求1所述的一種大平面多尺寸兼容真空平臺結構,其特征在于:所述平臺板(1)的側壁上皆設有兩組限位槽(7),且限位槽(7)皆延伸至平臺板(1)的外部。
9.根據權利要求1所述的一種大平面多尺寸兼容真空平臺結構,其特征在于:所述平臺板(1)的內部對稱安裝有等間距的四組安裝孔(4),且安裝孔(4)的底端皆延伸至平臺板(1)的外部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





