[實(shí)用新型]一種輔熱型PECVD管式鍍膜爐

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202222210469.0
• 申請日: 2022-08-19
• 公開（公告）號: CN218435947U
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡新興;張飛;孫鐵囤
• 申請（專利權(quán)）人: 常州億晶光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/46
• 代理公司: 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32258
• 代理人: 王美華

本實(shí)用新型提供了一種輔熱型PECVD管式鍍膜爐，包括爐體、爐管和輔助加熱裝置，爐管沿爐體內(nèi)壁環(huán)向間隔分布，輔助加熱裝置包括單行硅片加熱裝置和單列硅片加熱裝置，單行硅片加熱裝置沿石墨舟單行硅片方向布置在爐體內(nèi)壁上；爐體內(nèi)壁沿石墨舟單行硅片方向開有滑槽，單列硅片加熱裝置包括可移動加熱電阻絲，該可移動加熱電阻絲長度與石墨舟單列硅片寬度一致并平行于石墨舟單列硅片方向，可移動加熱電阻絲滑動設(shè)置在滑槽上。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，設(shè)計(jì)可移動加熱的電阻絲對石墨舟的單列硅片方向進(jìn)行加熱，可對應(yīng)移動至石墨舟任意一列位置，在開啟加熱后提升厚度偏低區(qū)域的溫度進(jìn)而改善該區(qū)域厚度，使得鍍膜整體均勻性得到改善。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及硅片加工特別是PECVD沉積技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種輔熱型PECVD管式鍍膜爐。

背景技術(shù)

PECVD是借助微波或者射頻等含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，利用等離子體的強(qiáng)活性、容易發(fā)生反應(yīng)，而在基片上沉積出所期望的薄膜。在硅片生產(chǎn)加工中，通常采用PECVD管式爐進(jìn)行鍍膜操作。

在現(xiàn)有的PECVD管式爐種，石墨舟送入管式爐內(nèi)，硅片呈矩陣型排布在石墨舟上，其中，設(shè)定管式爐軸向方向即石墨舟長度方向?yàn)槭鄣膯涡泄杵较颍鄹叨确较驗(yàn)槭鄣膯瘟泄杵较颉．?dāng)采用輔助加熱裝置進(jìn)行均勻加熱時，輔助加熱裝置通常包括固定在爐管固定位置的若干根紅外加熱絲，紅外加熱絲沿石墨舟的單行硅片方向設(shè)置，設(shè)定加熱溫度后，若干根紅外加熱絲均勻加熱。同根紅外加熱絲沿石墨舟的單行硅片方向?qū)κ圻M(jìn)行加熱。在紅外加熱絲位置固定的情況下，整根紅外加熱絲同步加熱，可有效改善石墨舟中單行硅片方向上的鍍膜均勻性問題。但是石墨舟不同行的位置，則由于分別對應(yīng)至不同的紅外加熱絲，不同的紅外加熱絲則存在溫度差異，導(dǎo)致鍍膜均勻性差異無法彌補(bǔ)。因此，如何對現(xiàn)有的PECVD管式爐進(jìn)行進(jìn)一步改進(jìn)設(shè)計(jì)，成為目前設(shè)計(jì)的重點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是：為了克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，本實(shí)用新型提供一種輔熱型PECVD管式鍍膜爐，在單列硅片方向上保證鍍膜均勻，同時還可對單行硅片方向進(jìn)行進(jìn)一步溫度控制，有效保證石墨舟不同行位置/單列硅片位置的鍍膜均勻性。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種輔熱型PECVD管式鍍膜爐，包括爐體、爐管和輔助加熱裝置，承載有硅片的石墨舟送入爐體內(nèi)進(jìn)行PECVD工藝，所述的爐管沿爐體內(nèi)壁環(huán)向間隔分布，所述的輔助加熱裝置包括單行硅片加熱裝置和單列硅片加熱裝置，所述的單行硅片加熱裝置沿石墨舟單行硅片方向布置在爐體內(nèi)壁上；所述的爐體內(nèi)壁沿石墨舟單行硅片方向開有滑槽，所述的單列硅片加熱裝置包括可移動加熱電阻絲，該可移動加熱電阻絲長度與石墨舟單列硅片寬度一致并平行于石墨舟單列硅片方向，所述的可移動加熱電阻絲滑動設(shè)置在滑槽上。

在上述方案中，爐管用于對爐體內(nèi)的整體升溫，單行硅片加熱裝置可沿石墨舟單行硅片方向進(jìn)行勻熱，單列硅片加熱裝置則滑動設(shè)置在滑槽上，并根據(jù)需求對單列硅片需要補(bǔ)充勻熱的硅片列進(jìn)行整體均勻改善升溫效果，靈活便捷調(diào)整不同區(qū)域，實(shí)現(xiàn)對鍍膜厚度的沉積改善。

優(yōu)選的，所述的單行硅片加熱裝置包括若干根紅外加熱絲，每根加熱絲均沿石墨舟單向方向布置。

進(jìn)一步的，所述的輔助加熱裝置還包括控制器和供電裝置，所述的控制器與供電裝置分別與單行硅片加熱裝置和單列硅片加熱裝置線路連接并單獨(dú)控制。即單行硅片加熱裝置和單列硅片加熱裝置為單獨(dú)加熱，可按需調(diào)整加熱溫度，便于根據(jù)實(shí)際需求分區(qū)域調(diào)整溫度。

優(yōu)選的，所述的可移動加熱電阻絲徑向截面呈劣弧型，所述的爐體內(nèi)腔為圓柱形，則該劣弧與爐體內(nèi)壁同心。

本實(shí)用新型的有益效果是，本實(shí)用新型提供的一種輔熱型PECVD管式鍍膜爐，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，在單行硅片方向設(shè)置紅外加熱絲的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)可移動加熱的電阻絲對石墨舟的單列硅片方向進(jìn)行加熱，可對應(yīng)移動至石墨舟任意一列位置，在開啟加熱后提升厚度偏低區(qū)域的溫度進(jìn)而改善該區(qū)域厚度，使得鍍膜整體均勻性得到改善。

附圖說明