[實用新型]一種輔熱型PECVD管式鍍膜爐有效
| 申請號: | 202222210469.0 | 申請日: | 2022-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN218435947U | 公開(公告)日: | 2023-02-03 |
| 發明(設計)人: | 蔡新興;張飛;孫鐵囤 | 申請(專利權)人: | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50;C23C16/46 |
| 代理公司: | 常州市英諾創信專利代理事務所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美華 |
| 地址: | 213213 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 輔熱型 pecvd 鍍膜 | ||
1.一種輔熱型PECVD管式鍍膜爐,包括爐體(4),承載有硅片的石墨舟(3)送入爐體(4)內進行PECVD工藝,其特征在于:還包括爐管和輔助加熱裝置,所述的爐管沿爐體(4)內壁環向間隔分布,所述的輔助加熱裝置包括單行硅片加熱裝置(5)和單列硅片加熱裝置(1),所述的單行硅片加熱裝置(5)沿石墨舟(3)單行硅片方向布置在爐體(4)內壁上;所述的爐體(4)內壁沿石墨舟(3)單行硅片方向開有滑槽(2),所述的單列硅片加熱裝置(1)包括可移動加熱電阻絲,該可移動加熱電阻絲長度與石墨舟(3)單列硅片寬度一致并平行于石墨舟(3)單列硅片方向,所述的可移動加熱電阻絲滑動設置在滑槽(2)上。
2.如權利要求1所述的一種輔熱型PECVD管式鍍膜爐,其特征在于:所述的單行硅片加熱裝置(5)包括若干根紅外加熱絲,每根加熱絲均沿石墨舟(3)單向方向布置。
3.如權利要求1所述的一種輔熱型PECVD管式鍍膜爐,其特征在于:所述的輔助加熱裝置還包括控制器和供電裝置,所述的控制器與供電裝置分別與單行硅片加熱裝置(5)和單列硅片加熱裝置(1)線路連接并單獨控制。
4.如權利要求1所述的一種輔熱型PECVD管式鍍膜爐,其特征在于:所述的可移動加熱電阻絲徑向截面呈劣弧型,所述的爐體(4)內腔為圓柱形,則該劣弧與爐體(4)內壁同心。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





