[實用新型]抑制高酸含鍺浸出液降酸時形成鐵硅鍺膠體沉淀的裝置

有效

• 申請號: 202222203568.6
• 申請日: 2022-08-22
• 公開（公告）號: CN218291065U
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: 楊坤;張利波;夏洪應;李世偉;王仕興
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: C22B41/00
• 分類號: C22B41/00;C22B3/02;C22B3/22
• 代理公司: 天津煜博知識產權代理事務所(普通合伙) 12246
• 代理人: 朱維

1.抑制高酸含鍺浸出液降酸時形成鐵硅鍺膠體沉淀的裝置，其特征在于：包括超聲預混槽(12)和降酸槽(20)，超聲預混槽(12)內豎直設置有第一機械攪拌裝置，第一機械攪拌裝置的末端插設至超聲預混槽(12)的底部，超聲預混槽(12)內豎直設置有相對于第一機械攪拌裝置軸對稱的兩排超聲振子(4)，超聲預混槽(12)頂端設置有礦砂漿管(2)和高酸含鍺液管(3)，礦砂漿管(2)和高酸含鍺液管(3)位于第一機械攪拌裝置兩側，超聲預混槽(12)的底部出口通過引流管(10)與降酸槽(20)的頂部入口連通，降酸槽(20)內豎直設置有第二機械攪拌裝置，第二機械攪拌裝置位于降酸槽(20)的中心軸上，降酸槽(20)的頂部和底部均設置有pH計。

2.根據權利要求1所述抑制高酸含鍺浸出液降酸時形成鐵硅鍺膠體沉淀的裝置，其特征在于：超聲預混槽(12)內豎直設置有相對于第一機械攪拌裝置軸對稱的第一導流柱(11)，第一導流柱(11)位于第一機械攪拌裝置的側面，降酸槽(20)內豎直設置有相對于第二機械攪拌裝置軸對稱的第二導流柱(24)。

3.根據權利要求1所述抑制高酸含鍺浸出液降酸時形成鐵硅鍺膠體沉淀的裝置，其特征在于：第一機械攪拌裝置包括第一電機(1)，第一電機(1)設置在超聲預混槽(12)的正上方，第一電機(1)的輸出軸上固定設置有第一攪拌軸(5)，第一攪拌軸(5)的底端固定設置有渦輪式攪拌漿(9)。

4.根據權利要求1所述抑制高酸含鍺浸出液降酸時形成鐵硅鍺膠體沉淀的裝置，其特征在于：第二機械攪拌裝置包括第二電機(19)，第二電機(19)設置在降酸槽(20)的正上方，第二電機(19)的輸出軸上固定設置有第二攪拌軸(21)，第二攪拌軸(21)上設置有上層葉式攪拌槳葉(22)和下層葉式攪拌槳葉(23)，上層葉式攪拌槳葉(22)位于降酸槽(20)的中部，下層葉式攪拌槳葉(23)位于降酸槽(20)的底部。

5.根據權利要求1所述抑制高酸含鍺浸出液降酸時形成鐵硅鍺膠體沉淀的裝置，其特征在于：每排超聲振子(4)串聯，相鄰超聲振子(4)的間距為2～4cm。

6.根據權利要求2所述抑制高酸含鍺浸出液降酸時形成鐵硅鍺膠體沉淀的裝置，其特征在于：超聲振子(4)設置在超聲預混槽(12)的內槽壁，第一導流柱(11)距離超聲預混槽(12)的槽壁5～10cm。

7.根據權利要求3所述抑制高酸含鍺浸出液降酸時形成鐵硅鍺膠體沉淀的裝置，其特征在于：渦輪式攪拌漿(9)距離槽底5～10cm，渦輪式攪拌漿(9)的直徑為超聲預混槽(12)直徑的1/5～1/2，渦輪式攪拌漿(9)的槳葉寬度為渦輪式攪拌漿(9)直徑的1/3～5/6。

8.根據權利要求4所述抑制高酸含鍺浸出液降酸時形成鐵硅鍺膠體沉淀的裝置，其特征在于：第二攪拌軸(21)的長度為降酸槽(20)深度的2/3～4/5，上層葉式攪拌槳葉(22)的攪拌直徑小于下層葉式攪拌槳葉(23)的攪拌直徑，上層葉式攪拌槳葉(22)與降酸槽(20)頂端的距離為降酸槽(20)深度的1/3～1/2，下層葉式攪拌槳葉(23)與降酸槽(20)頂端的距離為降酸槽(20)深度的4/5～9/10，上層葉式攪拌槳葉(22)的攪拌半徑為降酸槽(20)半徑的1/2～2/3，下層葉式攪拌槳葉(23)的攪拌半徑為降酸槽(20)半徑的1/2～2/3，第二導流柱(24)距離降酸槽(20)的槽壁10～20cm。

9.根據權利要求1所述抑制高酸含鍺浸出液降酸時形成鐵硅鍺膠體沉淀的裝置，其特征在于：還包括超聲控制柜(18)，每排超聲振子(4)分別與超聲控制柜(18)電連接。