[實用新型]大功率可控硅封裝結構有效
| 申請號： | 202222196913.8 | 申請日： | 2022-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN218525567U | 公開（公告）日： | 2023-02-24 |
| 發明（設計）人： | 唐興軍;王亞 | 申請（專利權）人： | 蘇州興锝電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/04 | 分類號： | H01L23/04;H01L23/10;H01L23/367;H01L23/40;H01L23/00 |
| 代理公司： | 蘇州科旭知識產權代理事務所(普通合伙) 32697 | 代理人： | 姚昌勝 |
| 地址： | 215151 江蘇省蘇州市蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 大功率 可控硅 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種大功率可控硅封裝結構，包括：殼體（1）、引腳（2），其特征在于：所述殼體（1）頂部設置有一表面具有若干個凹槽（4）的上殼蓋（3），該凹槽（4）可供一散熱片（5）嵌入安裝，與殼體（1）內部電路連接的引腳（2）位于殼體（1）與上殼蓋（3）形成的封裝體一端；
在所述上殼蓋（3）的上表面且沿凹槽（4）周向設置有一第一密封圈（6），該第一密封圈（6）具有一密封凸環（7），所述散熱片（5）的底部外壁固定套裝有一第二密封圈（8），該第二密封圈（8）相對于第一密封圈（6）的一側設置有一可供密封凸環（7）嵌入的環形槽（9）。
2.根據權利要求1所述的大功率可控硅封裝結構，其特征在于：所述密封凸環（7）的兩側安裝有一定位軟塊（10）。
3.根據權利要求1所述的大功率可控硅封裝結構，其特征在于：所述密封凸環（7）的內徑大于散熱片（5）的外徑。
4.根據權利要求1所述的大功率可控硅封裝結構，其特征在于：所述第一密封圈（6）、第二密封圈（8）均為橡膠圈。
5.根據權利要求1所述的大功率可控硅封裝結構，其特征在于：所述引腳（2）為三根，分別為柵極電極（11）、陽極電極（12）、陰極電極（13）。
6.根據權利要求1所述的大功率可控硅封裝結構，其特征在于：在所述殼體（1）相背于引腳（2）的一側延伸設置有一散熱板（14）。
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