[實用新型]半導體封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202222091385.X | 申請日: | 2022-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN217387150U | 公開(公告)日: | 2022-09-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張中;張國棟;謝雨龍;王乾 | 申請(專利權)人: | 江蘇芯德半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/538 | 分類號: | H01L23/538 |
| 代理公司: | 無錫華越知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 32571 | 代理人: | 蘇霞 |
| 地址: | 210000 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
本實用新型公開了一種半導體封裝結(jié)構(gòu),其包括基板、內(nèi)嵌于基板的高密度連接層以及設置于基板表面的至少一個芯片,高密度連接層包括多層金屬布線層。半導體封裝結(jié)構(gòu)為多個芯片封裝結(jié)構(gòu)和/或單個芯片封裝結(jié)構(gòu)。本實用新型提供的半導體封裝結(jié)構(gòu),通過高密度連接層的多層金屬布線層,實現(xiàn)單個芯片封裝結(jié)構(gòu)或多個芯片封裝結(jié)構(gòu),高密度連接層的多層金屬布線層具有細線寬和窄間距,減少了布線和裝配的差錯,降低安裝難度;同時,增加了基板設計的靈活性,減少了基板排版布線的困難程度。
技術領域
本實用新型涉及半導體封裝技術領域,尤其是涉及一種嵌入基板的互連結(jié)構(gòu)的半導體封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術
系統(tǒng)級封裝(SIP,System In a Package)是將多個芯片整合到同一封裝體中,使其更具完整的系統(tǒng)功能的一種封裝形式,具有小型化和集成度高的優(yōu)勢。目前,系統(tǒng)級封裝應用于手持式和穿戴式通訊產(chǎn)品中,如智能手機中的電源管理、射頻收發(fā)器、射頻功放、射頻開關、天線調(diào)諧器、藍牙等。
SIP包括多芯片模塊(MCM,Multi-chip Module)的平面式2D封裝、3D封裝以及將不同組件內(nèi)藏于多功能基板中的封裝,例如英特爾提出的嵌入式多芯片互連橋(EMIB,Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)封裝。
目前,以多功能基板實現(xiàn)SIP封裝結(jié)構(gòu)中,通常需要在基板中內(nèi)嵌以硅為載體的橋接芯片,該橋接芯片作為中介,將倒裝于基板表面的多個芯片互連起來。橋接芯片中一般是以鋁為導電材料。
然而,上述多功能基板中,以硅為載體的橋接芯片需要由晶圓廠制備,制程復雜,成本較高,這就導致封裝成本增加。
因此,目前亟需一種結(jié)構(gòu)簡單且成本不高的互連結(jié)構(gòu),以實現(xiàn)芯片互連。
另外,現(xiàn)有技術中的倒裝芯片封裝是將工作面上制有凸點電極的芯片朝下,與封裝襯底直接鍵合,通過芯片上呈陣列排布的凸點來實現(xiàn)芯片與封裝襯底的互連。通常情況下,倒裝芯片封裝選用基板作為封裝襯底,為了滿足集成化、高密度化的封裝要求,一個封裝體需要設置更多的線路以及引腳數(shù)目,這就需要設置更多的基板層數(shù),以便于布局設計電路。然而,基板的層數(shù)越多,制作工藝就越復雜,這也不可避免的導致成本增加。
因此,也亟需一種結(jié)構(gòu)簡單且成本不高的芯片封裝結(jié)構(gòu),以減少基板的層數(shù),降低成本。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術中存在的缺陷,提供一種結(jié)構(gòu)簡單且成本不高的實現(xiàn)芯片互連的半導體封裝結(jié)構(gòu)。
為解決上述技術問題,本實用新型提供了一種半導體封裝結(jié)構(gòu),其包括基板、內(nèi)嵌于基板的高密度連接層以及設置于基板表面的至少一個芯片,高密度連接層包括多層金屬布線層。半導體封裝結(jié)構(gòu)為多個芯片封裝結(jié)構(gòu)和/或單個芯片封裝結(jié)構(gòu)。
一個方面,多個芯片封裝結(jié)構(gòu)為至少兩個水平相鄰的芯片倒裝于基板表面,且兩兩水平相鄰的芯片通過高密度連接層的金屬布線層實現(xiàn)電連接。
另一方面,單個芯片封裝結(jié)構(gòu)為單個芯片倒裝于基板表面,且單個芯片與高密度連接層的金屬布線層電連接。
在一些實施方式中,基板包括至少一層介電層、堆疊在所述介電層上下表面的線路層以及至少一層焊盤層,相鄰線路層之間電連接,線路層與焊盤層之間電連接;高密度連接層嵌于介電層中,高密度連接層的金屬布線層與焊盤層電連接。
在一些實施方式中,高密度連接層設置在金屬層上,金屬層臨時鍵合于襯底上,高密度連接層在解鍵合、去除襯底和金屬層后貼裝于基板的介電層。
在一些實施方式中,高密度連接層設置在承載襯底上,承載襯底貼裝于基板的介電層。
在一些實施方式中,芯片設置多個導電凸塊,部分導電凸塊與多層金屬布線層的最外層金屬布線層電連接。
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