[實用新型]半導體封裝結構

有效

• 申請號: 202222091385.X
• 申請日: 2022-08-10
• 公開（公告）號: CN217387150U
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 張中;張國棟;謝雨龍;王乾
• 申請（專利權）人: 江蘇芯德半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538
• 代理公司: 無錫華越知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32571
• 代理人: 蘇霞

1.半導體封裝結構，其特征在于，包括基板、內嵌于基板的高密度連接層以及設置于基板表面的至少一個芯片，所述高密度連接層包括多層金屬布線層；所述半導體封裝結構為多個芯片封裝結構和/或單個芯片封裝結構；所述多個芯片封裝結構為至少兩個水平相鄰的芯片倒裝于基板表面，且兩兩水平相鄰的所述芯片通過高密度連接層的金屬布線層實現電連接；所述單個芯片封裝結構為單個芯片倒裝于基板表面，且單個所述芯片與高密度連接層的金屬布線層電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述基板包括至少一層介電層、堆疊在所述介電層上下表面的線路層以及至少一層焊盤層，相鄰所述線路層之間電連接，所述線路層與焊盤層之間電連接；所述高密度連接層嵌于介電層中，所述高密度連接層的金屬布線層與焊盤層電連接。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述高密度連接層貼裝于基板的介電層。

4.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述高密度連接層設置在承載襯底上，所述承載襯底貼裝于基板的介電層。

5.根據權利要求3或4所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述芯片設置多個導電凸塊，部分所述導電凸塊與多層金屬布線層的最外層金屬布線層電連接。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述金屬布線層以銅為導電材料，所述銅的厚度為1-15μm。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括散熱片和焊球，所述散熱片包覆芯片并設于基板上，所述焊球設于基板的背面。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述基板上還設有被動元件。

9.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述承載襯底為硅、塑封料、ABF中的一種材料制成。