[實(shí)用新型]一種具有凹陷結(jié)構(gòu)的正極片及二次電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202222035858.4
• 申請(qǐng)日: 2022-08-03
• 公開（公告）號(hào): CN217933851U
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韋遠(yuǎn)雄;蒙宏潛;陳婕;韋荔甫;蘇鵬鑒;王仲民;喬濤;凌大愛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣西華桂興時(shí)代新能源科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01M4/13
• 分類號(hào): H01M4/13;H01M10/0587;H01M10/052;H01M10/054
• 代理公司: 北京律譜知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11457
• 代理人: 莫錫暉

本實(shí)用新型提供了一種具有凹陷結(jié)構(gòu)的正極片及二次電池，屬于二次電池的技術(shù)領(lǐng)域，能夠提高電池的循環(huán)壽命。該正極片包括正極基材和正極材料，所述正極材料覆蓋所述正極基材形成正極材料區(qū)，所述正極片還包括未覆蓋有所述正極材料的基材暴露區(qū)，所述基材暴露區(qū)設(shè)置有若干凹陷結(jié)構(gòu)；所述正極材料區(qū)和所述基材暴露區(qū)間隔設(shè)置，使得所述正極片經(jīng)過與負(fù)極片卷繞后形成跑道型的電池芯后，所述跑道型的電池芯的拐彎處均為所述基材暴露區(qū)。本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案解決了卷芯應(yīng)力分布不均和卷芯電解液分布不均的質(zhì)量問題，有效地提高了電池芯的循環(huán)壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及二次電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種具有凹陷結(jié)構(gòu)的正極片及二次電池。

背景技術(shù)

隨著鋰離子電池、鈉離子電池等二次電池的材料技術(shù)和制造工藝的不斷突破，二次電池被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)類電池產(chǎn)品、電動(dòng)汽車、風(fēng)光發(fā)電儲(chǔ)能、家庭儲(chǔ)能等領(lǐng)域。

隨著二次電池的廣泛應(yīng)用，為降低二次電池的使用成本，同時(shí)為了節(jié)約生產(chǎn)資源、提高二次電池的環(huán)保，電池的使用壽命越來越被重視，尤其是風(fēng)光電力儲(chǔ)能領(lǐng)域，對(duì)整個(gè)生命周期的電池壽命提出了高達(dá)20年的使用需求。現(xiàn)市場上占比超過50％的電池，皆是使用卷繞結(jié)構(gòu)的方殼電芯，該結(jié)構(gòu)電芯使用后期會(huì)出現(xiàn)由于卷芯應(yīng)力分布不均和卷芯電解液分布不均的質(zhì)量問題，導(dǎo)致電芯循環(huán)壽命的降低。

基于以上存在的問題，在先專利“一種改善鋰電池變形的負(fù)極片及不易變形的鋰電池”(申請(qǐng)?zhí)?019208063897)公開了一種不易變形的鋰電池，該鋰電池通過在其負(fù)極片上相間設(shè)有厚涂區(qū)域和薄涂區(qū)域，并且卷繞時(shí)負(fù)極片的薄涂區(qū)域位于卷芯的轉(zhuǎn)角處，改善了鋰電池極片膨脹的問題。但是，就該方案來說，由于負(fù)極片設(shè)置有薄涂區(qū)域，也就相當(dāng)于減少了負(fù)極片的容量，在電池循環(huán)充放電的過程中，負(fù)極片上容易產(chǎn)生析鋰現(xiàn)象，從而影響鋰電池的循環(huán)壽命。

實(shí)用新型內(nèi)容

針對(duì)上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種具有凹陷結(jié)構(gòu)的正極片及二次電池。

第一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種具有凹陷結(jié)構(gòu)的正極片，包括正極基材和正極材料，所述正極材料覆蓋所述正極基材形成正極材料區(qū)，所述正極片還包括未覆蓋有所述正極材料的基材暴露區(qū)，所述基材暴露區(qū)設(shè)置有若干凹陷結(jié)構(gòu)，所述正極材料區(qū)和所述基材暴露區(qū)間隔設(shè)置，使得所述正極片經(jīng)過與負(fù)極片卷繞后形成跑道型的電池芯后，所述跑道型的電池芯的拐彎處均為所述基材暴露區(qū)。

進(jìn)一步的，凹陷結(jié)構(gòu)陣列式均勻設(shè)置于所述基材暴露區(qū)。

進(jìn)一步的，凹陷結(jié)構(gòu)為半球體型。

進(jìn)一步的，凹陷結(jié)構(gòu)的半徑為20至50微米。

進(jìn)一步的，凹陷結(jié)構(gòu)的半徑為30微米。

進(jìn)一步的，各凹陷結(jié)構(gòu)在所述基材暴露區(qū)上的投影面積的總和與所述基材暴露區(qū)的面積的比值為40％至60％。

進(jìn)一步的，各凹陷結(jié)構(gòu)在所述基材暴露區(qū)上的投影面積的總和與所述基材暴露區(qū)的面積的比值為50％。

進(jìn)一步的，凹陷結(jié)構(gòu)通過壓花工藝形成。