[實用新型]一種具有凹陷結構的正極片及二次電池

有效

• 申請號: 202222035858.4
• 申請日: 2022-08-03
• 公開（公告）號: CN217933851U
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發明（設計）人: 韋遠雄;蒙宏潛;陳婕;韋荔甫;蘇鵬鑒;王仲民;喬濤;凌大愛
• 申請（專利權）人: 廣西華桂興時代新能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01M4/13
• 分類號: H01M4/13;H01M10/0587;H01M10/052;H01M10/054
• 代理公司: 北京律譜知識產權代理有限公司 11457
• 代理人: 莫錫暉

1.一種具有凹陷結構的正極片，包括正極基材和正極材料，所述正極材料覆蓋所述正極基材形成正極材料區，其特征在于，所述正極片還包括未覆蓋有所述正極材料的基材暴露區，所述基材暴露區設置有若干凹陷結構，所述正極材料區和所述基材暴露區間隔設置，使得所述正極片經過與負極片卷繞后形成跑道型的電池芯后，所述跑道型的電池芯的拐彎處均為所述基材暴露區。

2.根據權利要求1所述的正極片，其特征在于，凹陷結構陣列式均勻設置于所述基材暴露區。

3.根據權利要求2所述的正極片，其特征在于，凹陷結構為半球體型。

4.根據權利要求3所述的正極片，其特征在于，凹陷結構的半徑為20至50微米。

5.根據權利要求4所述的正極片，其特征在于，凹陷結構的半徑為30微米。

6.根據權利要求4所述的正極片，其特征在于，各凹陷結構在所述基材暴露區上的投影面積的總和與所述基材暴露區的面積的比值為40％至60％。

7.根據權利要求6所述的正極片，其特征在于，各凹陷結構在所述基材暴露區上的投影面積的總和與所述基材暴露區的面積的比值為50％。

8.根據權利要求1所述的正極片，其特征在于，凹陷結構通過壓花工藝形成。

9.一種二次電池，其特征在于，包括由權利要求1至8任一項所述的正極片和負極片卷繞形成的電池芯，所述電池芯的拐彎處均為由所述正極片的基材暴露區形成的基材暴露層。

10.根據權利要求9所述的二次電池，其特征在于，所述二次電池為鋰電池或鈉電池。