[實用新型]Micro-LED封裝結構有效
| 申請號: | 202221670022.5 | 申請日: | 2022-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN217655880U | 公開(公告)日: | 2022-10-25 |
| 發明(設計)人: | 趙文強;袁兆斌 | 申請(專利權)人: | 青島歌爾智能傳感器有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司: | 濰坊正信致遠知識產權代理有限公司 37255 | 代理人: | 于治洪 |
| 地址: | 266101 山東省青島市嶗*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | micro led 封裝 結構 | ||
本實用新型公開了一種Micro?LED封裝結構,涉及芯片封裝技術領域。Micro?LED封裝結構,包括電路板,與所述電路板電連接的Micro?LED芯片和封裝在所述Micro?LED芯片上的透光蓋板,所述電路板上設置有散熱件,所述Micro?LED芯片設置在所述散熱件上。本實用新型Mi cro?LED封裝結構能夠快速及時有效地將Mi cro?LED芯片產生的熱量散播出去,解決了Mi cro?LED芯片的散熱問題,避免了熱應力的非均勻分布和熱堆積對Micro?LED芯片造成的影響,提高了Micro?LED芯片的發光效率,延長了Mi cro?LED芯片的使用壽命。
技術領域
本實用新型涉及芯片封裝技術領域,具體涉及一種Micro-LED封裝結構。
背景技術
目前,Micro-LED芯片的電光轉換效率約為30%,剩余的70%轉化為熱能,而Micro-LED芯片的尺寸較小,如果熱量集中在尺寸很小的Micro-LED芯片內不能及時有效的散播出去,則會導致Micro-LED芯片的溫度升高,進而引起熱應力的非均勻分布和芯片發光效率的下降,降低Micro-LED芯片的使用壽命,因此,解決Micro-LED芯片的散熱問題是目前急需解決的技術難題之一。
實用新型內容
針對現有技術存在的以上缺陷,本實用新型提供一種Micro-LED封裝結構,該Micro-LED封裝結構解決了Micro-LED芯片的散熱問題。
為了解決上述技術問題,本實用新型采用的技術方案是:
Micro-LED封裝結構,包括電路板,與所述電路板電連接的Micro-LED芯片和封裝在所述Micro-LED芯片上的透光蓋板,所述電路板上設置有散熱件,所述Micro-LED芯片設置在所述散熱件上。
其中,所述電路板上設置有鑲嵌通孔,所述散熱件鑲嵌在所述鑲嵌通孔內。
其中,所述散熱件包括散熱主板和設置在所述散熱主板上的散熱翅,所述散熱主板鑲嵌所述鑲嵌通孔內,所述散熱翅位于所述鑲嵌通孔外,所述Micro-LED芯片設置在所述散熱主板上。
其中,所述散熱主板靠近所述Micro-LED芯片一側的表面與所述電路板的表面平齊。
其中,所述散熱翅設置有多個,相鄰兩所述散熱翅間隔設置。
其中,所述散熱翅呈片狀或柱狀。
其中,所述Micro-LED芯片上設置有引出極,所述電路板上設置有接觸極,所述引出極與所述接觸極通過導線電連接。
其中,所述引出極設置有多個,各所述引出極對稱布置在所述Micro-LED芯片的相對兩側;相應的,所述接觸極設置有多個,各所述接觸極對稱布置在所述鑲嵌通孔的相對兩側。
其中,所述導線與所述引出極的連接處、所述導線以及所述導線與所述接觸極的連接處均封裝有密封膠。
其中,所述透光蓋板為玻璃蓋板。
采用了上述技術方案,本實用新型的有益效果是:
本實用新型提供的Micro-LED封裝結構,由于在電路板上設置了散熱件,并將Micro-LED芯片設置在了散熱件上,因此,能夠快速及時有效地將Micro-LED芯片產生的熱量散播出去,解決了Micro-LED芯片的散熱問題,避免了熱應力的非均勻分布和熱堆積對Micro-LED芯片造成的影響,提高了Micro-LED芯片的發光效率,延長了Micro-LED芯片的使用壽命。
附圖說明
圖1是本實用新型Micro-LED封裝結構的結構示意圖;
圖中:1、電路板;11、接觸極;2、Micro-LED芯片;21、引出極;3、透光蓋板;4、散熱件;41、散熱主板;42、散熱翅;5、導線;6、密封膠。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





