[實用新型]一種TVS器件結構以及電子設備有效
| 申請號： | 202221648372.1 | 申請日： | 2022-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN218101272U | 公開（公告）日： | 2022-12-20 |
| 發明（設計）人： | 劉宗金;夏杰;吳晨雨;吳佳;歐新華;袁瓊 | 申請（專利權）人： | 上海芯導電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海慧晗知識產權代理事務所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 徐海晟 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區中國*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 tvs 器件 結構 以及 電子設備 | ||
1.一種TVS器件結構，其特征在于，包括：
TVS器件；所述TVS器件的陽極包括：第一重摻雜N++區以及形成于所述第一重摻雜N++區的頂端的第一金屬層；所述TVS器件的陰極包括：重摻雜P++區以及位于其頂端的第二金屬層；以及
第二重摻雜N++區；所述第二重摻雜N++區形成于所述重摻雜P++區中，且連接所述第二金屬層；
其中，所述TVS器件的所述陽極形成所述TVS器件結構的陽極；所述TVS器件的所述陰極以及所述第二重摻雜N++區形成所述TVS器件結構的陰極；
其中，所述TVS器件結構的所述陽極與所述TVS器件結構的所述陰極之間的擊穿電壓高于所述TVS器件的陽極與所述TVS器件的陰極之間的擊穿電壓。
2.根據權利要求1所述的TVS器件結構，其特征在于，
所述TVS器件還包括：
襯底；
形成于所述襯底上的外延層；
N+型埋層，所述N+型埋層形成于所述外延層與所述襯底之間；
N-阱，所述N-阱形成于所述N+型埋層的一端上，且接觸所述第一重摻雜N++區；
鈍化層，所述鈍化層形成于所述外延層的表面；以及
隔離阱，所述隔離阱形成于所述N+阱的沿第一方向的兩側的所述襯底與所述鈍化層之間；其中，所述第一方向表征了紙平面上垂直于所述襯底和所述外延層的堆疊方向。
3.根據權利要求2所述的TVS器件結構，其特征在于，
所述鈍化層為SiO2。
4.根據權利要求3所述的TVS器件結構，其特征在于，
所述隔離阱包括第一P+型隔離阱以及形成于所述第一P+型隔離阱頂端的第二P+型隔離阱。
5.根據權利要求4所述的TVS器件結構，其特征在于，
所述襯底為P型襯底；所述外延層為P型外延層。
6.根據權利要求5所述的TVS器件結構，其特征在于，所述P型外延層為摻硼的外延層。
7.根據權利要求6所述的TVS器件結構，其特征在于，所述P型襯底為P型硅襯底。
8.根據權利要求7所述的TVS器件結構，其特征在于，所述第二重摻雜N++區的摻雜濃度是1e17-5e18cm-2。
9.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求1-8任一項所述的TVS器件結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海芯導電子科技股份有限公司，未經上海芯導電子科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202221648372.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種帶滅弧功能的開關柜
- 下一篇：一種用于提高立式電機的軸承穩定結構
- 同類專利
- 專利分類
