[實用新型]一種刻蝕處理裝置有效
| 申請號: | 202221509373.8 | 申請日: | 2022-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN218178142U | 公開(公告)日: | 2022-12-30 |
| 發明(設計)人: | 孫書雄;劉旭華;管昌新;張銳;李劍 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | F16L3/22 | 分類號: | F16L3/22;F16B39/24;H01L21/311 |
| 代理公司: | 北京恒博知識產權代理有限公司 11528 | 代理人: | 張琦 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 刻蝕 處理 裝置 | ||
本申請公開了一種刻蝕處理裝置,包括第一槽體、進液管道、連接件以及第一墊片。第一槽體具有第一容納腔;進液管道設置在第一容納腔中,進液管道通過連接件與第一槽體連接;第一墊片的至少部分位于連接件與進液管道之間,第一墊片與連接件以及進液管道觸接。本申請實施例中,在連接件與進液管道之間增加第一墊片,讓連接件接觸進液管道變為連接件接觸第一墊片,而連接件與第一墊片觸接時產生的摩擦力更大,減少連接件發生松動情況,從而能夠更好的固定住連接件,進而固定住進液管道。
技術領域
本實用新型涉及芯片刻蝕技術領域,尤其涉及一種刻蝕處理裝置。
背景技術
三維存儲器是一種新興的閃存類型,通過把內存顆粒堆疊在一起來打造出高存儲容量的存儲芯片。在三維存儲器芯片的交替堆疊的結構中,需要通過對氮化物和氧化物的選擇性刻蝕獲得層間介質層,堆疊層數越多,芯片性能越好,但高層堆疊的芯片的刻蝕均勻性也更難保持。在進行芯片的選擇性刻蝕中,為了盡量保持刻蝕的均勻性,可以改善處理槽內液體流動的均勻性,減少刻蝕沉積回沾的現象。
實用新型內容
本實用新型提供一種刻蝕處理裝置,能夠減少連接件發生松動的情況,從而更好的固定住進液管道。
本申請實施例提供一種刻蝕處理裝置,包括第一槽體、進液管道、連接件以及第一墊片。所述第一槽體具有第一容納腔;所述進液管道設置在所述第一容納腔中,所述進液管道通過所述連接件與所述第一槽體連接;所述第一墊片的至少部分位于所述連接件與所述進液管道之間,所述第一墊片與所述連接件以及所述進液管道觸接。
根據一些實施例,所述第一槽體的內壁上設置有支撐結構,所述進液管道與所述支撐結構可拆卸連接。所述進液管道與所述支撐結構的可拆卸連接有利于所述進液管道的檢查與更換等。
根據一些實施例,所述連接件包括螺栓與螺帽,所述螺栓貫穿所述進液管道且與所述支撐結構螺紋連接;所述第一墊片包括第一部分,所述第一部分位于所述連接件與所述進液管道之間,所述第一部分設置有供螺栓穿過的開孔。所述螺帽套設在所述螺栓上,所述螺帽與所述螺栓擰在一起,以對所述進液管道與所述支撐結構的連接起到緊固作用,在所述螺帽與所述進液管道之間設有所述第一墊片,而所述螺栓穿過所述第一墊片的第一部分上的開孔,所述螺帽觸接并壓緊所述第一墊片的第一部分,從而將所述進液管道壓緊于所述支撐結構,減少了所述螺栓相對于所述進液管道的移動,減少所述進液管道的松動情況。
根據一些實施例,所述支撐結構位于所述進液管道遠離所述第一部分的一側,所述處理裝置還包括第二墊片,所述第二墊片設置于所述進液管道與所述支撐結構之間,所述第二墊片與所述進液管道以及所述支撐結構觸接。所述第二墊片可以加強所述進液管道與所述支撐結構之間的連接密封性,防止所述第一容納腔內的液體泄漏到所述進液管道與所述支撐結構之間,進而防止所述進液管道與所述支撐結構之間受到泄露進來的液體的壓力、腐蝕或熱脹冷縮等影響,減少所述螺栓因所述進液管道與所述支撐結構之間泄露進來的液體而發生松動的情況。
根據一些實施例,所述第一墊片還包括第二部分,所述第二部分套接于所述第二墊片的外側,且所述第二部分與所述第二墊片抵接,所述第一部分與所述第二部分連接。使用雙層墊片進行密封,可以提升密封性能,可以防止所述第一容納腔內的液體從所述進液管道和所述支撐結構之間的縫隙中滲進,從而防止所述進液管道和所述支撐結構之間受到液體的壓力、腐蝕或熱脹冷縮等影響。而且,所述第一墊片與所述第二墊片的材質之間產生的摩擦力較大,減小了所述第一墊片與所述第二墊片之間發生松動的可能性。
根據一些實施例,所述第一墊片和所述第二墊片中的一者為聚四氟乙烯墊片,所述第一墊片和所述第二墊片中的另一者為橡膠墊片。第一墊片和第二墊片需要具有良好的密封性以及耐酸堿、耐化學品腐蝕、耐大氣老化等作用,故可以選用聚四氟乙烯墊片和橡膠墊片,且因為所述第一墊片的材質原因,使得所述螺帽與所述第一墊片之間觸接產生的摩擦力較大,所以所述螺帽不易發生松動。
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