[實(shí)用新型]反饋抑制DSP處理電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202221198650.8 | 申請(qǐng)日: | 2022-05-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN217406721U | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梁明亮;伍偉誠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 恩平市賽揚(yáng)電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04R3/00 | 分類號(hào): | H04R3/00;G05B19/042 |
| 代理公司: | 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11676 | 代理人: | 呂青霜 |
| 地址: | 529000 廣東省江門市恩平市江*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反饋 抑制 dsp 處理 電路 | ||
本實(shí)用新型提供反饋抑制DSP處理電路,涉及反饋抑制電路領(lǐng)域。本實(shí)用新型包括主芯片U11、FLASH接口電路、復(fù)位反饋電路、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM芯片、JTAG測試電路、晶體管電路、數(shù)/模轉(zhuǎn)化器、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器,所述主芯片U11、FLASH接口電路、復(fù)位反饋電路、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM芯片、JTAG測試電路、晶體管電路、數(shù)/模轉(zhuǎn)化器、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器之間設(shè)置為電性相連。本實(shí)用新型改善傳統(tǒng)電路中對(duì)于聲反饋處理速度較慢,并且伴隨失真,誤差大,頻率Q值高,頻點(diǎn)單一等缺陷,從而可以實(shí)現(xiàn)達(dá)到高保真人聲的效果,聲音對(duì)比起來很動(dòng)聽,且具有更好的音效效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種處理電路,具體為反饋抑制DSP處理電路,屬于反饋抑制電路技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
當(dāng)麥克風(fēng)拾取到受話器發(fā)出的聲音時(shí),這些聲音會(huì)進(jìn)入受話器被二次放大,從而形成聲音的反饋環(huán)路。嘯叫是在聲反饋基礎(chǔ)上產(chǎn)生的一種可聽見的聲音振蕩,只有當(dāng)聲音反復(fù)進(jìn)入反饋環(huán)路、重復(fù)被放大時(shí),才會(huì)出現(xiàn)嘯叫,當(dāng)一個(gè)嘯叫頻率被無止境的放大時(shí)會(huì)超出電路設(shè)計(jì)的正常幅度導(dǎo)致失真,失真信號(hào)震蕩會(huì)引起揚(yáng)聲器線圈發(fā)熱導(dǎo)致燒壞,正是為了解決這問題出現(xiàn)了反饋抑制器。
傳統(tǒng)簡單的消除聲反饋分為移相式,陷波式,前者采用簡單的震蕩電路,將整體信號(hào)偏移3-9Hz從而逐漸消除,存在失真大,效率低,后者屬于檢波電路,對(duì)特定的敏感頻點(diǎn)進(jìn)行衰減,通常無法對(duì)多個(gè)頻點(diǎn)進(jìn)行衰減抑制,而且也會(huì)把周邊頻點(diǎn)進(jìn)行誤衰減,效果不是很理想。
實(shí)用新型內(nèi)容
(一)解決的技術(shù)問題
本實(shí)用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供反饋抑制DSP處理電路,以解決現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)多個(gè)頻點(diǎn)進(jìn)行衰減抑制,而且也會(huì)把周邊頻點(diǎn)進(jìn)行誤衰減,效果不是很理想的問題。
(二)技術(shù)方案
為實(shí)現(xiàn)以上目的,本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):反饋抑制DSP處理電路,包括主芯片U11、FLASH接口電路、復(fù)位反饋電路、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM芯片、JTAG測試電路、晶體管電路、數(shù)/模轉(zhuǎn)化器、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器,所述主芯片U11、FLASH接口電路、復(fù)位反饋電路、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM芯片、JTAG測試電路、晶體管電路、數(shù)/模轉(zhuǎn)化器、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器之間設(shè)置為電性相連;
所述復(fù)位反饋電路包括電阻R100和電容C105,所述電阻R100第一端與3.3V供電端相連,所述電阻R100第二端與電容C105第一端以及主芯片U11第15針腳相連,所述電容器C105第二端接地;
所述晶體管的晶體振蕩器第一端與電阻R95第一端、主芯片U11第9針腳以及電容C93第一端相連,所述電容C93第二端接地,所述晶體管的晶體振蕩器第二端與電阻R95第二端、主芯片U11第8針腳以及電容C95第一端相連,所述電容C95第二端接地。
優(yōu)選地,所述FLASH接口電路第1針腳與主芯片U11第122針腳之間通過電阻相連,所述FLASH接口電路第2針腳與主芯片U11第126針腳之間通過電阻相連,所述FLASH接口電路第3針腳與主芯片U11第125針腳之間通過電阻相連,所述FLASH接口電路第4針腳接地。
優(yōu)選地,所述FLASH接口電路第5針腳與主芯片U11第127針腳相連,所述FLASH接口電路第6針腳與主芯片U11第123針腳之間通過電阻相連,所述FLASH接口電路第7針腳與主芯片U11第124針腳之間通過電阻相連,所述FLASH接口電路第8針腳與3.3V供電端相連,所述FLASH接口電路第8針腳第一端連接有電容器C96,所述FLASH接口電路第1針腳第一端連接有電容器C104,所述電容器C96和電容器C104第二端均接地。
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