[實用新型]一種低碳單晶熱場的上部保溫結構有效

申請號：	202221104418.3	申請日：	2022-05-10
公開（公告）號：	CN217266138U	公開（公告）日：	2022-08-23
發明（設計）人：	汪沛淵;許堃;吳超慧	申請（專利權）人：	宇澤半導體（云南）有限公司
主分類號：	C30B15/00	分類號：	C30B15/00;C30B15/10;C30B29/06
代理公司：	昆明合眾智信知識產權事務所 53113	代理人：	張璽
地址：	675000 云南省楚雄彝族***	國省代碼：	云南;53
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種低碳單晶熱場上部保溫結構
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【說明書】：

本實用新型公開了一種低碳單晶熱場的上部保溫結構，包括坩堝，坩堝的內部設置有導流筒，導流筒的上部設置有導流筒蓋氈，導流筒的頂部外側設置有定位環，導流筒蓋氈的外側安裝有蓋氈保護環，坩堝的頂部位于導流筒蓋氈的外側安裝有頂部保溫蓋板，頂部保溫蓋板為環形結構，且內側壁靠近蓋氈保護環處安裝有導流筒定位環。該低碳單晶熱場的上部保溫結構中，可以有效的降低導流筒蓋氈及頂部保溫蓋板的老化，同時，可以有效的避免固化氈上脫落的碳粉在導流筒升降時而落入坩堝中，可大大降低單晶的碳含量，減少碳含量反切，同時也可延長導流筒蓋氈及頂部保溫蓋板的使用壽命。

技術領域

本實用新型涉及鍋爐技術領域，具體地說，涉及一種低碳單晶熱場的上部保溫結構。

背景技術

隨著光伏直拉單晶硅技術的不斷發展及近年來的N型單晶的規模不斷擴大，對單晶的品質提出了更高的要求。

行業內單晶硅片的碳含量出貨標準為＜1ppm。在拉晶過程中，由于碳雜質在硅中的分凝系數為＜1，因此碳含量在拉晶過程中被留在坩堝中的熔體中。RCZ下，非完結棒的尾部碳含量基本都能控制在1ppm以下，而完結棒時，由于需將坩堝內的熔體全部拉干，因此在完結棒時，其尾部碳含量通常會＞1ppm，而出貨標準下，＞1ppm的晶棒會根據碳含量的值進行分類，被作為循環料繼續投入使用或作為報廢料退出循環。相對于拉晶端，已經被拉出的單晶由于碳含量的反切，造成了無法出貨，增加了拉晶的成本及產品的利用率。同時，即使按照1ppm的碳含量管控標準進行管控，高的碳含量在電池端同樣會造成低效的情況發生。因此降低單晶拉制過程中的碳含量，使碳含量控制更低的標準下，可以提高單晶的品質，降低單晶的生產成本，低碳單晶勢在必行。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種低碳單晶熱場的上部保溫結構，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供了一種低碳單晶熱場的上部保溫結構，包括坩堝，所述坩堝的內部設置有導流筒，所述導流筒的上部設置有導流筒蓋氈，所述導流筒的頂部外側設置有定位環，所述導流筒蓋氈的外側安裝有蓋氈保護環，所述坩堝的頂部位于導流筒蓋氈的外側安裝有頂部保溫蓋板，所述頂部保溫蓋板為環形結構，且內側壁靠近蓋氈保護環處安裝有導流筒定位環。

作為優選，所述導流筒蓋氈的頂部安裝有密封蓋。

作為優選，所述導流筒蓋氈通過定位螺栓與導流筒的頂部定位環連接。

作為優選，所述導流筒定位環的頂部高度高于頂部保溫蓋板的頂部高度。

作為優選，所述蓋氈保護環能夠將導流筒蓋氈的外側壁完全包裹，所述導流筒定位環的高度尺寸大于蓋氈保護環的高度尺寸。

作為優選，所述蓋氈保護環包括上保護板、中保護板和下保護板，且三者依次連接，所述上保護板和下保護板為豎向設置，所述中保護板為水平設置。

作為優選，所述導流筒定位環包括上定位板、中定位板和下定位板，且三者依次連接，所述上定位板和下定位板為豎向設置，所述中定位板為水平設置。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果：

該低碳單晶熱場的上部保溫結構中，可以有效的降低導流筒蓋氈及頂部保溫蓋板的老化，同時，可以有效的避免固化氈上脫落的碳粉在導流筒升降時而落入坩堝中，可大大降低單晶的碳含量，減少碳含量反切，同時也可延長導流筒蓋氈及頂部保溫蓋板的使用壽命。

附圖說明

圖1為本實用新型的整體結構示意圖；

圖2為本實用新型的部分結構示意圖；

圖3為本實用新型中導流筒定位環和蓋氈保護環的結構示意圖。