[實(shí)用新型]一種低碳單晶熱場(chǎng)的上部保溫結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202221104418.3
• 申請(qǐng)日: 2022-05-10
• 公開（公告）號(hào): CN217266138U
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪沛淵;許堃;吳超慧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 宇澤半導(dǎo)體（云南）有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/00
• 分類號(hào): C30B15/00;C30B15/10;C30B29/06
• 代理公司: 昆明合眾智信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 53113
• 代理人: 張璽

1.一種低碳單晶熱場(chǎng)的上部保溫結(jié)構(gòu)，包括坩堝(6)，其特征在于：所述坩堝(6)的內(nèi)部設(shè)置有導(dǎo)流筒(2)，所述導(dǎo)流筒(2)的上部設(shè)置有導(dǎo)流筒蓋氈(1)，所述導(dǎo)流筒(2)的頂部外側(cè)設(shè)置有定位環(huán)(21)，所述導(dǎo)流筒蓋氈(1)的外側(cè)安裝有蓋氈保護(hù)環(huán)(5)，所述坩堝(6)的頂部位于導(dǎo)流筒蓋氈(1)的外側(cè)安裝有頂部保溫蓋板(4)，所述頂部保溫蓋板(4)為環(huán)形結(jié)構(gòu)，且內(nèi)側(cè)壁靠近蓋氈保護(hù)環(huán)(5)處安裝有導(dǎo)流筒定位環(huán)(3)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低碳單晶熱場(chǎng)的上部保溫結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導(dǎo)流筒蓋氈(1)的頂部安裝有密封蓋(12)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低碳單晶熱場(chǎng)的上部保溫結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導(dǎo)流筒蓋氈(1)通過定位螺栓(11)與導(dǎo)流筒(2)的頂部定位環(huán)(21)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低碳單晶熱場(chǎng)的上部保溫結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導(dǎo)流筒定位環(huán)(3)的頂部高度高于頂部保溫蓋板(4)的頂部高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低碳單晶熱場(chǎng)的上部保溫結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述蓋氈保護(hù)環(huán)(5)能夠?qū)?dǎo)流筒蓋氈(1)的外側(cè)壁完全包裹，所述導(dǎo)流筒定位環(huán)(3)的高度尺寸大于蓋氈保護(hù)環(huán)(5)的高度尺寸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低碳單晶熱場(chǎng)的上部保溫結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述蓋氈保護(hù)環(huán)(5)包括上保護(hù)板(51)、中保護(hù)板(52)和下保護(hù)板(53)，且三者依次連接，所述上保護(hù)板(51)和下保護(hù)板(53)為豎向設(shè)置，所述中保護(hù)板(52)為水平設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低碳單晶熱場(chǎng)的上部保溫結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導(dǎo)流筒定位環(huán)(3)包括上定位板(31)、中定位板(32)和下定位板(33)，且三者依次連接，所述上定位板(31)和下定位板(33)為豎向設(shè)置，所述中定位板(32)為水平設(shè)置。