[實用新型]一種耐高溫高頻H橋驅動電路

有效

• 申請號: 202221035062.2
• 申請日: 2022-04-30
• 公開（公告）號: CN217159570U
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 左希光;楊要軍;張雷;劉明;劉巖
• 申請（專利權）人: 青島海博瑞微電子研究所有限公司
• 主分類號: H02P6/08
• 分類號: H02P6/08;H02M1/38
• 代理公司: 北京深川專利代理事務所(普通合伙) 16058
• 代理人: 張彥

1.一種耐高溫高頻H橋驅動電路，包括H橋驅動單元和H橋驅動控制單元，所述H橋驅動單元由兩個驅動輸出端子(RF1、RF2)、四個開關元件(Q1、Q2、Q3、Q4)構成，所述四個開關元件(Q1、Q2、Q3、Q4)呈對角設置，當左上角和右下角的開關元件(Q1、Q4)導通時，左側的驅動輸出端子(RF1)為高電平，右側的驅動輸出端子(RF2)為低電平；當右上角和左下角的開關元件(Q2、Q3)導通時，右側的驅動輸出端子(RF2)為高電平，左側的驅動輸出端子(RF1)為低電平，其特征在于：

所述H橋驅動控制單元，包括一反相器(U1)和H橋驅動芯片(U2)，所述反相器(U1)的輸入端接PWM信號，反相器(U1)的兩個輸出端與H橋驅動芯片(U2)的兩個輸入端連接，用于輸出兩路相位相反的PWM信號；

所述H橋驅動芯片(U2)與四個開關元件(Q1、Q2、Q3、Q4)連接，并控制四個開關元件(Q1、Q2、Q3、Q4)的兩兩交替導通，所述H橋驅動芯片(U2)分別通過第一電阻(RHDEL)和第二電阻(RLDEL)接地，用以提供足夠的死驅時間，保證H橋上同側的兩個開關元件不會同時導通；

所述H橋驅動單元和H橋驅動控制單元通過厚膜燒結工藝，形成一金屬封裝結構。

2.根據權利要求1所述的一種耐高溫高頻H橋驅動電路，其特征在于：所述H橋驅動芯片(U2)的輸出端還分別與兩個驅動輸出端子(RF1、RF2)連接。

3.根據權利要求1所述的一種耐高溫高頻H橋驅動電路，其特征在于：所述反相器(U1)的電源輸入端還連接有旁路、退耦電容(C3、C4)，且電容(C3、C4)的另一端接地。

4.根據權利要求1所述的一種耐高溫高頻H橋驅動電路，其特征在于：所述H橋驅動芯片(U2)的電源輸入端還連接有旁路、退耦電容(C5、C6)，且電容(C5、C6)的另一端接地。

5.根據權利要求1所述的一種耐高溫高頻H橋驅動電路，其特征在于：所述四個開關元件(Q1、Q2、Q3、Q4)為NMOS管，所述H橋驅動芯片(U2)的一輸出端連接左上角開關元件(Q1)的源極和左下角開關元件(Q3)的漏極以及左側的驅動輸出端子(RF1)，H橋驅動芯片(U2)的另一輸出端連接右上角開關元件(Q2)的源極和右下角開關元件(Q4)的漏極以及右側的驅動輸出端子(RF2)。