[實用新型]一種MEMS結構

有效

• 申請號: 202220995585.5
• 申請日: 2022-04-24
• 公開（公告）號: CN217591084U
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發明（設計）人: 李冠華;劉端
• 申請（專利權）人: 安徽奧飛聲學科技有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04;H04R17/02;H04R31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請公開了一種MEMS結構，包括：襯底，具有空腔；振動支撐層，形成在所述襯底上方并且覆蓋所述空腔；第一電極層，形成在所述振動支撐層下方，并且位于所述空腔內；壓電層，形成在所述振動支撐層上方；第二電極層，形成在所述壓電層上方。本申請將振動支撐層置于壓電層和第一電極層之間，該振動支撐層除了將壓電層和第一電極層隔離開，還降低了MEMS結構的漏電損耗，從而降低了輸出噪聲。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，具體來說，涉及一種MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微機電系統的簡稱)結構。

背景技術

MEMS傳聲器主要包括電容式和壓電式兩種。壓電MEMS傳聲器是利用微電子機械系統技術和壓電薄膜技術制備的傳聲器，由于采用半導體平面工藝和體硅加工等技術，所以其尺寸小、體積小、一致性好。同時相對于電容傳聲器還有不需要偏置電壓、工作溫度范圍大、防塵、防水等優點，但其靈敏度比較低、漏電等因素，制約著壓電MEMS傳聲器的發展。

實用新型內容

針對相關技術中的問題，本申請提出了一種MEMS結構，能夠提高MEMS結構的靈敏度。

本申請的技術方案是這樣實現的：

根據本申請的一個方面，提供了一種MEMS結構，包括：

襯底，具有空腔；

振動支撐層，形成在所述襯底上方并且覆蓋所述空腔；

第一電極層，形成在所述振動支撐層下方，并且位于所述空腔內；

壓電層，形成在所述振動支撐層上方；

第二電極層，形成在所述壓電層上方。

其中，所述第一電極層的區域面積小于所述空腔的區域面積。

其中，所述壓電層、所述第二電極層的區域面積小于所述空腔的區域面積。

綜上，借助于本申請的上述技術方案，在本申請所提供的MEMS結構中，將第一電極層置于振動支撐層下方，在幾乎不增加工藝復雜度的情況下降低了MEMS結構的漏電損耗，增加了靈敏度并且降低了輸出噪聲。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示出了根據一些實施例提供的MEMS結構的立體圖；

圖2示出了根據一些實施例提供的MEMS結構的剖面圖；

圖3示出了該MEMS結構在特定材料、尺寸條件下的靈敏度頻響曲線。

具體實施方式

下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。

參見圖1和圖2，根據本申請的實施例，提供一種MEMS結構，該MEMS結構可以但不限用于傳聲器或麥克風等傳感器，或其他執行器。