[實用新型]一種晶圓加工制程用撕金膜

有效

• 申請號: 202220910761.0
• 申請日: 2022-04-19
• 公開（公告）號: CN216890758U
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 李政;張強
• 申請（專利權）人: 廣東萊爾新材料科技股份有限公司
• 主分類號: C09J7/24
• 分類號: C09J7/24;C09J7/50
• 代理公司: 佛山市禾才知識產權代理有限公司 44379
• 代理人: 鄧流沛;梁永健

本實用新型公開了一種晶圓加工制程用撕金膜，涉及功能薄膜技術領域。晶圓加工制程用撕金膜，從下至上包括離型層、基材層、隔離層和壓敏膠層，隔離層用于阻隔基材層中的增塑劑遷移至壓敏膠層；離型層用于防止收卷時壓敏膠層粘連背面；離型層、隔離層和壓敏膠層的原料均為UV固化型樹脂。本實用新型的晶圓加工制程用撕金膜通過在聚氯乙烯基膜層和壓敏膠層間設置了隔離層，可有效隔離聚氯乙烯基膜中的增塑劑向壓敏膠層的遷移，從而避免污染晶圓的風險，同時，離型層、隔離層和壓敏膠層的原料均為UV固化型樹脂，通過UV照射便可固化，無需進行加熱烘烤過程，解決了聚氯乙烯基膜因發生熱收縮而導致尺寸不穩定的問題。

技術領域

本實用新型涉及功能薄膜技術領域，尤其涉及一種晶圓加工制程用撕金膜。

背景技術

基于“lift-off”原理的半導體晶圓加工工藝主要包含以下幾個步驟：(1)在晶圓襯底上涂上光刻膠層；(2)對負膠層進行圖形化曝光，顯影電路區域；(3)在襯底上表面蒸鍍金屬膜——電路區域直接蒸鍍在襯底上，非電路區域則蒸鍍在負膠上表面；(4)除去非電路區域的金屬及負膠層，其中，上述步驟(4)中去除金屬的“撕金”工藝通常采用帶有粘性的撕金膜進行金屬的剝離操作，即在晶圓上表面覆蓋粘貼撕金膜，隨著撕金膜的揭除將負膠層上的金屬一并剝除。

由于半導體加工的精細度很高，因此對撕金膜的品質也提出了較高的要求：一是撕金膜具有合適的粘性，過低則金屬剝離不干凈，過高則損害正常的電路金屬線；二是剝離過程不會對晶圓造成殘留污染；三是有良好的柔韌性和延展性；四是有良好的加工性和可操作性。

現有技術中，撕金膜通常采用柔性聚氯乙烯(PVC)為基膜，通過在膜表面涂布壓敏膠制成具有粘性的薄膜，但壓敏膠涂布后需要熱烘除去溶劑，加熱會使PVC基膜發生收縮，影響其尺寸，所以通常采用轉移涂布的方法，即先把壓敏膠涂布在離型膜烘干后再轉印到PVC上，工藝比較繁瑣。此外，柔性PVC膜中通常含有大量增塑劑，隨時間會轉移到壓敏膠層4，在使用中會有污染晶圓的風險。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提出一種晶圓加工制程用撕金膜，從下到上依次包括離型層、聚氯乙烯基膜層、隔離層和壓敏膠層，通過在聚氯乙烯基膜層和壓敏膠層間設置了隔離層，可有效隔離聚氯乙烯基膜中的增塑劑向壓敏膠層的遷移，從而避免污染晶圓的風險，同時，離型層、隔離層和壓敏膠層的原料均為UV固化型樹脂，通過UV照射便可固化，無需進行加熱烘烤過程，解決了聚氯乙烯基膜因發生熱收縮而導致尺寸不穩定的問題。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種晶圓加工制程用撕金膜，包括離型層、基材層、隔離層和壓敏膠層，所述離型層設于所述基材層的底部，所述隔離層設于所述基材層的表面，所述壓敏膠層設于所述隔離層的表面；

所述隔離層用于阻隔所述基材層中的增塑劑遷移至壓敏膠層；

所述離型層用于防止撕金膜收卷時壓敏膠層粘連背面；

所述離型層、所述隔離層和所述壓敏膠層的原料均為UV固化型樹脂。

進一步的，所述基材層的厚度為20～200μm。

進一步的，所述離型層的厚度為0.2～2μm。

進一步的，所述隔離層的厚度為0.5～3μm。

進一步的，所述壓敏膠層的厚度為2～20μm。

進一步的，所述離型層的離型力小于5gf/25mm。

進一步的，所述基材層的拉伸強度≥20MPa，斷裂伸長率≥250％。

進一步的，所述壓敏膠層的粘接力為90～300gf/25mm。

進一步的，所述基材層為聚氯乙烯薄膜。