[實用新型]管道堵塞物清除機構及晶圓生產設備

有效

• 申請號: 202220856167.8
• 申請日: 2022-04-13
• 公開（公告）號: CN217251290U
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 徐科;李健鵬;吳侃
• 申請（專利權）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: B08B9/047
• 分類號: B08B9/047;H01L21/67
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 唐清凱

本實用新型涉及一種管道堵塞物清除機構及晶圓生產設備，晶圓生產設備包括管道及管道堵塞物清除機構，管道堵塞物清除機構的部分地收容于管道內，并能夠沿管道的內壁作往復直線運動，以刮除堵塞于管道內的堵塞物。管道堵塞物清除機構包括用于刮除堵塞物的刮削治具及驅動模塊，驅動模塊配接于刮削治具，用于驅動刮削治具往復移動，使刮削治具能夠在驅動模塊的驅動下沿管道的內壁往復移動，在不影響晶圓生產設備正常工作的前提下，能夠在無需借助人力的情況下清除堆積在管道內的堵塞物，從而可阻止晶圓生產設備的真空泵堵塞及管路堵塞，避免了因抽氣效率低下引起的產品報廢，提高了產品良率；并減少了人力成本，避免了安全事故的發生。

技術領域

本實用新型涉及半導體生產技術領域，特別是涉及一種管道堵塞物清除機構及晶圓生產設備。

背景技術

隨著半導體技術的發展，對晶圓進行深孔硅刻蝕(簡稱TSV：Through SiliconVia)已成為必不可少的重要工藝之一。TSV刻蝕工藝對晶圓進行刻蝕時不可避免地產生一定數量的反應生成物，這些反應生成物會通過前級管路被干式真空泵(dry pump)抽出后通過后級管路排入廠務端的廢氣處理裝置，經廢氣處理裝置處理達到排放標準后排入大氣中。

但是，現有的硅深孔刻蝕設備在執行TSV刻蝕工藝時，所生成的反應生成物數量多且粘性大，在將反應生成物排至廢氣處理裝置的過程中，這些反應生成物會發生沉積，粘附在真空泵和管路內壁上，造成干式真空泵卡死以及管路堵塞，將直接影響抽氣速率，甚至導致產品報廢和設備損壞。為此，經常性地需要停機進行清理或更換，業界目前的做法是定期人工清理；通常需耗時6～10小時，需要大量人力物力，不僅工作量大，人力成本高，生產效率低，而且在作業過程中涉及高空，管路裁剪等高風險作業，也存在一定的安全隱患。

實用新型內容

基于此，有必要針對人工清理管道造成的工作量大、人力成本高、生產效率低及具有安全隱患的問題，提供一種能夠對堵塞在管道的堵塞物進行實時自動清理的管道堵塞物清除機構及包含該管道堵塞物清除機構的晶圓生產設備。

根據本申請的一個方面，提供一種管道堵塞物清除機構，包括：

刮削治具，包括沿管道的周向延伸的工作面，所述工作面用于刮除堵塞物，所述刮削治具開設有通孔，所述通孔連通所述刮削治具沿所述管道的軸向的相對兩端；

驅動模塊，配接于所述刮削治具，所述驅動模塊用于驅動所述刮削治具沿所述管道的軸向往復移動。

在其中一個實施例中，所述驅動模塊包括驅動組件和傳動機構，所述傳動機構的相對兩端分別傳動連接所述驅動組件和所述刮削治具，以使所述驅動組件能夠驅動所述傳動機構帶動所述刮削治具沿所述管道的軸向往復運動。

在其中一個實施例中，所述傳動機構包括支架和傳動單元，所述支架圍成沿一平行于所述管道的軸向方向延伸的傳送通道，所述傳動單元設置在所述傳送通道內。

在其中一個實施例中，所述傳送通道靠近所述刮削治具的一側設有沿平行于所述管道的軸向方向延伸的限位槽。

在其中一個實施例中，所述傳動機構還包括擋簾，所述擋簾設在所述支架上并封閉所述限位槽，所述擋簾配置為在外力作用下能夠開啟所述限位槽并發生可恢復的變形，以能夠自動封閉所述限位槽。

在其中一個實施例中，所述傳動單元包括：

兩個連接件，間隔地設于所述支架；

齒輪，連接于所述驅動組件的一端；及

傳動鏈，沿平行于所述管道的軸向方向的相對兩端分別套設于一個所述連接件，在一垂直于所述管道的軸向方向上，所述傳動鏈形成間隔設置的第一子傳動鏈和第二子傳動鏈，所述第一子傳動鏈嚙合于所述齒輪，所述第二子傳動鏈連接所述刮削治具；所述齒輪能夠繞垂直于所述管道的軸向方向往復轉動，以驅動所述傳動鏈帶動所述刮削治具沿所述管道的軸向方向往復移動。