[實用新型]承載裝置有效
| 申請號: | 202220772459.3 | 申請日: | 2022-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN217444360U | 公開(公告)日: | 2022-09-16 |
| 發明(設計)人: | 張龍;方一;陳魯;張嵩 | 申請(專利權)人: | 深圳中科飛測科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/673 |
| 代理公司: | 深圳精智聯合知識產權代理有限公司 44393 | 代理人: | 夏聲平 |
| 地址: | 518110 廣東省深圳市龍華區大浪街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 裝置 | ||
本實用新型實施例公開的一種承載裝置,包括:承載層,設置多個第一安裝孔;間隔層,連接在承載層一側、設置多個第二安裝孔,多個第一安裝孔與多個第二安裝孔的第一部分第二安裝孔相對應;氣路連接層,連接在間隔層遠離承載層一側、且與承載層、間隔層形成第一氣壓通道和第二氣壓通道,氣路連接層設置多個第三安裝孔,多個第三安裝孔與多個第二安裝孔的第二部分第二安裝孔相對應;多個第一緊固件,穿過多個第一安裝孔并連接在與第一安裝孔對應的第一部分第二安裝孔;多個第二緊固件,穿過多個第三安裝孔并連接在與第三安裝孔對應的第二部分第二安裝孔。本申請提供的承載裝置設置緊固組件以提高承載裝置的氣浮承載效果和延長承載裝置的使用壽命。
技術領域
本實用新型涉及半導體技術領域,尤其涉及一種承載裝置。
背景技術
對待測件(例如為晶圓)進行檢測時,需要先對待測件進行承載。氣浮承載是目前常用的一種承載方式。通常,氣浮承載裝置或設備上設置有正壓出氣區域以及排氣區域,正壓出氣區域用于對待測件進行吹浮,然后承載裝置與待測件之間氣體通過排氣區域排出。
然而目前市面上的承載設備由于其結構的原因,使得承載設備的零部件的安裝和固定不理想,嚴重影響該承載設備的氣浮承載效果。
實用新型內容
針對現有技術中的至少部分問題和缺陷,本實用新型實施例公開了一種承載裝置,以提高承載裝置的氣浮承載效果。
具體地,本實用新型實施例提供的一種承載裝置例如包括:承載層,設置有多個第一安裝孔;間隔層,連接在所述承載層的一側,所述間隔層設置有多個第二安裝孔,所述多個第一安裝孔與所述多個第二安裝孔的第一部分第二安裝孔一一對應;氣路連接層,連接在所述間隔層遠離所述承載層的一側、且與所述承載層、所述間隔層形成有用于對待測件進行氣浮承載的第一氣壓通道和第二氣壓通道,所述氣路連接層還設置有多個第三安裝孔,所述多個第三安裝孔與所述多個第二安裝孔的第二部分第二安裝孔一一對應;多個第一緊固件,分別穿過所述多個第一安裝孔并連接在與所述多個第一安裝孔對應的所述第一部分第二安裝孔內;以及多個第二緊固件,分別穿過所述多個第三安裝孔并連接在與所述多個第三安裝孔對應的所述第二部分第二安裝孔內。
本實施例提供的承載裝置,通過設置第一氣壓通道和第二氣壓通道對待測晶圓進行分別送氣和排氣從而實現氣浮承載,設置多個第一緊固件和多個第二緊固件對承載層、間隔層、氣路連接層之間進行緊固連接,提高承載裝置的氣浮承載效果,并且提高承載裝置的強度,進而延長承載裝置的使用壽命。
在本實用新型的一個實施例中,所述多個第一安裝孔位于所述承載層的邊緣位置,所述多個第二安裝孔位于所述間隔層的邊緣位置,所述多個第三安裝孔位于所述氣路連接層的邊緣位置,所述多個第一安裝孔、所述多個第二安裝孔以及所述多個第三安裝孔在所述承載層上的投影的中心位于同一圓周上,且所述多個第一安裝孔和所述多個第三安裝孔在所述承載層上的投影在所述圓周上相互間隔且交替排布。
在本實用新型的一個實施例中,所述承載層包括遠離所述間隔層的承載面,所述承載面上設置有多個第一氣孔、多個第二氣孔,所述承載層上鄰近所述間隔層的一側還設置有多個第一支導氣管和第一主導氣管,所述多個第一支導氣管一一對應連通所述多個第二氣孔;所述間隔層與所述承載層形成有第一空腔,所述第一空腔分別連通所述多個第一氣孔和所述第一主導氣管;所述間隔層上還設置有第一主導氣管過孔和多個第一支導氣管過孔,所述第一主導氣管穿過所述第一主導氣管過孔,所述多個第一支導氣管穿過所述第一支導氣管過孔;所述氣路連接層與所述間隔層形成有第二空腔,所述第一支導氣管連通所述第二空腔;所述氣路連接層上鄰近所述間隔層的一側上還設置有第二主導氣管,所述第二主導氣管連通所述第二空腔;所述氣路連接層還設置有第二主導氣管過孔,所述第一主導氣管貫穿所述第二主導氣管過孔;其中,所述第一氣壓通道包括所述多個第一氣孔、所述第一空腔和所述第一主導氣管,所述第二氣壓通道包括所述多個第二氣孔、所述多個第一支導氣管、所述第二空腔和所述第二主導氣管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





