[實用新型]半導體封裝裝置

有效

• 申請號: 202220720174.5
• 申請日: 2022-03-29
• 公開（公告）號: CN217507320U
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 游長峯;呂美如;林桎葦;陳俊瑋;葉育源
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

本公開涉及半導體封裝裝置。該半導體封裝裝置包括：載體；對位標記，設置在載體的上表面，對位標記包括金屬層，金屬層的上表面設置有第一凹槽。通過在對位標記的金屬層的上表面設置有第一凹槽,能夠保證至少在第一凹槽處不會出現對位光線的全反射，使得第一凹槽在對位影像中清晰顯示，有利于提高對位精度，進而提高半導體產品的封裝品質。

技術領域

本公開涉及半導體封裝技術領域，具體涉及半導體封裝裝置。

背景技術

硅光子(Silicon photonics，SiPh)因有著高速傳輸、低功耗等優點，因而具有相當潛力的應用前景，可應用在光通信相關領域，例如服務器、雷達等設備中。然而，硅光子對封裝精密度要求較高，需要保證光學對位。

一般來說，會借助重布線(Redistribution Layer，RDL)結構中的特定圖案進行對位。在對位光線的照射下，對位圖案影像呈現暗淡，其他區域影像呈現明亮，從而識別出對位圖案。通常會在重布線結構上方設置透明保護層，并對透明保護層的上表面進行研磨。然而，由于研磨制程會存在精度誤差，使得透明保護層的厚度偏移預期。當透明保護層的厚度為特定數值時，對位光線會在透明保護層的表面發生全反射，使得對位圖案的亮度增大，導致對位圖案不清晰。

因此，有必要提出一種新的技術方案以解決上述至少一個技術問題。

實用新型內容

本公開提供了一種半導體封裝裝置。

本公開提供的半導體封裝裝置，包括：

載體；

對位標記，設置在所述載體的上表面，所述對位標記包括金屬層，所述金屬層的上表面設置有第一凹槽。

在一些可選的實施方式中，所述金屬層自中心向邊緣具有厚度變化。

在一些可選的實施方式中，所述金屬層自中心向邊緣厚度逐漸減小，或者所述金屬層自中心向邊緣厚度逐漸增大。

在一些可選的實施方式中，所述金屬層至少包括第一金屬單元和第二金屬單元，其中，所述第一金屬單元的厚度大于所述第二金屬單元，并且所述第一金屬單元的寬度大于所述第二金屬單元。

在一些可選的實施方式中，所述第一凹槽的深度滿足下式d＝(2k+1)λ/4n，其中，d代表所述第一凹槽的深度，λ代表照射所述對位標記的光的波長，k和n均為整數。

在一些可選的實施方式中，所述第一凹槽的寬度滿足下式：其中，w代表所述第一凹槽的寬度，λ代表照射所述對位標記的光的波長，k和n均為整數。

在一些可選的實施方式中，所述第一凹槽向下貫穿至所述載體的上表面。

在一些可選的實施方式中，所述第一凹槽內設置有黑色材料。

在一些可選的實施方式中，所述黑色材料為垂直排列納米管陣列材料。

在一些可選的實施方式中，所述黑色材料的表面具有粗糙結構。

在一些可選的實施方式中，所述第一凹槽的深度小于所述金屬層的厚度。

在一些可選的實施方式中，所述金屬層整體呈十字形、輻射狀、圓形、梯形或者三角形。

在一些可選的實施方式中，所述金屬層上方設置有透明保護層。

第二方面，本公開提供了一種半導體封裝裝置，包括：

載體，所述載體的上表面設置有第二凹槽；

對位標記，設置在所述載體上，所述對位標記包括填充在所述第二凹槽內的黑色材料。

在一些可選的實施方式中，所述黑色材料為垂直排列納米管陣列材料。