[實(shí)用新型]半導(dǎo)體封裝裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202220720174.5
• 申請(qǐng)日: 2022-03-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN217507320U
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 游長(zhǎng)峯;呂美如;林桎葦;陳俊瑋;葉育源
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544
• 代理公司: 北京植德律師事務(wù)所 11780
• 代理人: 唐華東

1.一種半導(dǎo)體封裝裝置，包括：

載體；

對(duì)位標(biāo)記，設(shè)置在所述載體的上表面，所述對(duì)位標(biāo)記包括金屬層，所述金屬層的上表面設(shè)置有第一凹槽；

所述金屬層上方設(shè)置有透明保護(hù)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述金屬層自中心向邊緣具有厚度變化。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述金屬層自中心向邊緣厚度逐漸減小，或者所述金屬層自中心向邊緣厚度逐漸增大。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述金屬層至少包括第一金屬單元和第二金屬單元，其中，所述第一金屬單元的厚度大于所述第二金屬單元，并且所述第一金屬單元的寬度大于所述第二金屬單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述第一凹槽的深度滿足下式：d＝(2k+1)λ/4n，其中，d代表所述第一凹槽的深度，λ代表照射所述對(duì)位標(biāo)記的光的波長(zhǎng)，k和n均為整數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述第一凹槽的寬度滿足下式：其中，w代表所述第一凹槽的寬度，λ代表照射所述對(duì)位標(biāo)記的光的波長(zhǎng)，k和n均為整數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述第一凹槽向下貫穿至所述載體的上表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述第一凹槽內(nèi)設(shè)置有黑色材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述黑色材料為垂直排列納米管陣列材料。

10.一種半導(dǎo)體封裝裝置，包括：

載體，所述載體的上表面設(shè)置有第二凹槽；

對(duì)位標(biāo)記，設(shè)置在所述載體上，所述對(duì)位標(biāo)記包括填充在所述第二凹槽內(nèi)的黑色材料，所述黑色材料為垂直排列納米管陣列材料。