[實用新型]雙面等離子體增強化學氣相沉積支架結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202220713660.4 | 申請日: | 2022-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN217052396U | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 范繼良 | 申請(專利權(quán))人: | 黃劍鳴 |
| 主分類號: | C23C16/505 | 分類號: | C23C16/505;C23C16/458 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 王志 |
| 地址: | 中國香港新界大埔*** | 國省代碼: | 香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙面 等離子體 增強 化學 沉積 支架 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種雙面等離子體增強化學氣相沉積支架結(jié)構(gòu),安裝于沉積裝置中支撐基板進行雙面等離子體增強化學氣相沉積鍍膜,其特征在于,包括:
底板,所述底板上貫穿開始有抽風口,沿所述底板的長度方向兩側(cè)呈平行的設(shè)有兩導軌;
用于承載基板的基板治具,所述基板治具呈平底的U字形結(jié)構(gòu),平底的U字形結(jié)構(gòu)的空區(qū)域形成供基板豎直插入或拔出的基板承載區(qū),所述基板治具呈等間距的平行垂直設(shè)置于所述底板上,相鄰兩所述基板治具之間的距離為E,所述基板治具位于兩所述導軌之間;及
阻隔治具,所述阻隔治具包括阻隔板及平頂且呈倒U字形結(jié)構(gòu)的滑動架,所述滑動架的兩側(cè)底部向外彎折延伸形成安裝部,所述安裝部與所述導軌呈滑動的連接,所述阻隔板呈豎直的設(shè)置于所述滑動架內(nèi),所述阻隔板與所述滑動架的平頂連接,所述阻隔治具呈等間距的平行垂直于所述底板,相鄰兩所述阻隔治具之間設(shè)有一所述基板治具,相鄰兩所述阻隔治具之間的距離為所述E,所述阻隔板正投影于相鄰的所述基板治具的陰影完全覆蓋所述基板承載區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的雙面等離子體增強化學氣相沉積支架結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括上支撐件,所述基板治具的兩側(cè)的上端分別與所述上支撐件連接,所述上支撐件借由所述基板治具的支撐而呈懸空的位于所述底板之上,所述上支撐件與所述導軌呈平行設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的雙面等離子體增強化學氣相沉積支架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述阻隔板的兩側(cè)與所述滑動架之間具有滑動間隙,所述上支撐件呈滑動的穿過所述滑動間隙。
4.如權(quán)利要求3所述的雙面等離子體增強化學氣相沉積支架結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括下支撐件,所述基板治具的兩側(cè)的下端分別與所述下支撐件連接,所述下支撐件呈凸出的與所述底板連接,所述下支撐件與所述導軌呈平行設(shè)置,所述下支撐件呈滑動的穿過所述滑動間隙。
5.如權(quán)利要求1所述的雙面等離子體增強化學氣相沉積支架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述安裝部與所述導軌呈滑動的卡合連接。
6.如權(quán)利要求5所述的雙面等離子體增強化學氣相沉積支架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導軌設(shè)有凹陷的卡槽,所述安裝部開設(shè)有與所述導軌相對應且供滑動的導槽。
7.如權(quán)利要求1所述的雙面等離子體增強化學氣相沉積支架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述抽風口位于相鄰兩所述基板治具之間。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





