[實(shí)用新型]雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積支架結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202220713660.4
• 申請(qǐng)日: 2022-03-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN217052396U
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范繼良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 黃劍鳴
• 主分類號(hào): C23C16/505
• 分類號(hào): C23C16/505;C23C16/458
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 王志

本實(shí)用新型公開(kāi)一種雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積支架結(jié)構(gòu)，其包括底板、基板治具及阻隔治具，底板上貫穿開(kāi)始有抽風(fēng)口，基板治具呈平底的U字形結(jié)構(gòu)并具有供基板豎直插入或拔出的基板承載區(qū)，基板治具呈等間距的平行垂直設(shè)置于底板上；阻隔治具包括阻隔板及平頂且呈倒U字形結(jié)構(gòu)的滑動(dòng)架，滑動(dòng)架可沿底板滑動(dòng)，阻隔板呈豎直的設(shè)置于滑動(dòng)架內(nèi)，相鄰兩阻隔治具之間設(shè)有一基板治具，阻隔板正投影于相鄰的基板治具的陰影完全覆蓋基板承載區(qū)。通過(guò)阻隔板的滑動(dòng)可覆蓋設(shè)于基板治具內(nèi)的基板的兩面，從而完成基板的雙面沉積鍍膜。本實(shí)用新型既能有效支撐基板，又能使得基板可在同一沉積裝置中進(jìn)行沉積鍍膜，效率高且實(shí)用性強(qiáng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種用于支撐基板在沉積裝置中進(jìn)行雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜的支架結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著經(jīng)濟(jì)建設(shè)的快速發(fā)展，微電子技術(shù)得到了迅猛的發(fā)展，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(英文全稱：Plasma EnhanceE Chemical Vapor Eeposition；簡(jiǎn)稱：PECVE)設(shè)備的開(kāi)發(fā)和使用也日益廣泛。PECVE設(shè)備是利用高頻電源輝光放電，產(chǎn)生等離子體化學(xué)沉積的設(shè)備，由于等離子體的存在，從而降低沉積溫度。目前，PECVE設(shè)備廣泛的用于液晶顯示行業(yè)、太陽(yáng)能電池行業(yè)、半導(dǎo)體器件及大規(guī)模集成電路的制造行業(yè)等。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVE)通常被用來(lái)在HIT電池的硅基板的A面上沉積P－I和B面上沉積I－N鍍膜層，硅基板的A面和B面是相對(duì)的兩側(cè)面。PECVE通常是通過(guò)導(dǎo)引前驅(qū)物氣體或氣體混合物進(jìn)入含有基板的真空腔室來(lái)完成，通過(guò)施加射頻給前驅(qū)物氣體或者氣體混合物使其被能量化(例如激發(fā))成等離子體，這些等離子體可以相互反應(yīng)或者與基底表面物質(zhì)反應(yīng)以便沉積成材料層。

目前需要對(duì)基板的兩面進(jìn)行沉積時(shí)，需要將沉積好一面的基板移動(dòng)到另一沉積裝置中進(jìn)行另一面不同材質(zhì)的沉積，或者是等待基板完全沉積好一面后取出翻面在重新放入，再通以另一氣體進(jìn)行另一面的沉積；如，需要對(duì)HIT電池中的硅基板進(jìn)行雙面沉積時(shí)，第一次在硅基板的一面沉積P－I層，第二次將沉積有P－I層的硅基板拿出來(lái)翻面在重新放入沉積箱內(nèi)完成另一面沉積I－N層。因此，無(wú)論采用何種沉積方式和手段，都是需要對(duì)硅基板進(jìn)行轉(zhuǎn)移才能沉積其兩面，需要反復(fù)的進(jìn)行重復(fù)性的操作，沉積效率低且操作繁瑣。

因此，亟需一種既能有效支撐基板，又能使得基板可在同一沉積裝置中進(jìn)行雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜的支架結(jié)構(gòu)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積支架結(jié)構(gòu)，該雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積支架結(jié)構(gòu)既能有效支撐基板，又能使得基板可在同一沉積裝置中進(jìn)行雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積支架結(jié)構(gòu)，安裝于沉積裝置中支撐基板進(jìn)行雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜，其包括底板、用于承載基板的基板治具及阻隔治具，所述底板上貫穿開(kāi)始有抽風(fēng)口，沿所述底板的長(zhǎng)度方向兩側(cè)呈平行的設(shè)有兩導(dǎo)軌；所述基板治具呈平底的U字形結(jié)構(gòu)，平底的U字形結(jié)構(gòu)的空區(qū)域形成供基板豎直插入或拔出的基板承載區(qū)，所述基板治具呈等間距的平行垂直設(shè)置于所述底板上，相鄰兩所述基板治具之間的距離為E，所述基板治具位于兩所述導(dǎo)軌之間；所述阻隔治具包括阻隔板及平頂且呈倒U字形結(jié)構(gòu)的滑動(dòng)架，所述滑動(dòng)架的兩側(cè)底部向外彎折延伸形成安裝部，所述安裝部與所述導(dǎo)軌呈滑動(dòng)的連接，所述阻隔板呈豎直的設(shè)置于所述滑動(dòng)架內(nèi)，所述阻隔板與所述滑動(dòng)架的平頂連接，所述阻隔治具呈等間距的平行垂直于所述底板，相鄰兩所述阻隔治具之間設(shè)有一所述基板治具，相鄰兩所述阻隔治具之間的距離為所述E，所述阻隔板正投影于相鄰的所述基板治具的陰影完全覆蓋所述基板承載區(qū)。