[實用新型]亞大氣壓化學氣相沉積設備的氣壓控制系統

有效

• 申請號: 202220573923.6
• 申請日: 2022-03-16
• 公開（公告）號: CN217077787U
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 王磊;江為團;王建上;陳明華
• 申請（專利權）人: 廈門士蘭集科微電子有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/44;C23C16/458;H01L21/205
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 馬陸娟

本實用新型公開了一種亞大氣壓化學氣相沉積設備的氣壓控制系統，包括反應腔；承載臺，設置在所述反應腔中，所述承載臺承載晶圓；第一干式真空泵，通過第一管路與所述反應腔相連通，所述第一干式真空泵抽取所述反應腔中的氣體；以及第二干式真空泵，通過第二管路與所述承載臺相連通，所述第二干式真空泵抽取所述承載臺上的所述晶圓背面的氣體，以將所述晶圓吸附于所述承載臺上。根據本實用新型實施例的亞大氣壓化學氣相沉積設備的氣壓控制系統，提高了干式真空泵的使用壽命、降低了維修成本、延長了設備運行時間。

技術領域

本實用新型涉及集成電路制造技術領域，特別涉及一種亞大氣壓化學氣相沉積設備的氣壓控制系統。

背景技術

在集成電路制造技術中，薄膜沉積是一種重要的制造手段。亞大氣壓化學氣相沉積工藝(sub-atmospheric Chemical Vapor Deposition，SA-CVD)真空鍍膜設備用于亞大氣壓化學氣相沉積工藝。該工藝通過控制溫度、壓力、化學條件使電離工藝氣體在晶圓表面反應生成所需的化合物。其中，控制壓力的氣壓控制系統(真空系統)是該設備的重要組成部分。

在現有的氣壓控制系統中，反應腔與晶圓背面的氣壓由一臺干式真空泵控制。晶圓放置在反應腔內部后，氣壓控制系統保證反應腔維持一定的壓力，同時通過打開背壓管路使晶圓吸附在承載臺表面并保持低于反應腔壓力大小的背壓。隨著跑貨量增加，粉塵等副產物會影響干式真空泵的使用壽命，晶圓背面壓力(背壓，backside pressure)會逐步升高，無法滿足需要的氣壓，需要對干式真空泵進行維修或更換。

實用新型內容

鑒于上述問題，本實用新型的目的在于提供一種亞大氣壓化學氣相沉積設備的氣壓控制系統，提高干式真空泵的使用壽命、降低維修成本、延長設備運行時間。

根據本實用新型的一方面，提供一種亞大氣壓化學氣相沉積設備的氣壓控制系統，包括反應腔；承載臺，設置在所述反應腔中，所述承載臺承載晶圓；第一干式真空泵，通過第一管路與所述反應腔相連通，所述第一干式真空泵抽取所述反應腔中的氣體；以及第二干式真空泵，通過第二管路與所述承載臺相連通，所述第二干式真空泵抽取所述承載臺上的所述晶圓背面的氣體，以將所述晶圓吸附于所述承載臺上。

優選地，所述氣壓控制系統還包括第一氣動閥，設置在所述第二管路上，用于控制所述第二管路的通斷。

優選地，所述氣壓控制系統還包括節流閥，設置在所述第一管路上，用于控制所述反應腔中氣壓的大小。

優選地，所述氣壓控制系統還包括第一氣壓檢測表，與所述反應腔相連接，用于檢測所述反應腔中的氣壓值。

優選地，所述氣壓控制系統還包括第二氣壓檢測表，與所述第一管路相連接，用于檢測所述第一管路、所述第二管路中的氣壓。

優選地，所述承載臺中設置有若干吸附孔，以將所述晶圓吸附固定在所述承載臺的表面上。

優選地，所述氣壓控制系統還包括第一隔離閥，設置在所述第一管路上，用于控制所述第一管路的通斷。

優選地，所述氣壓控制系統包括兩個所述承載臺；所述第二管路包括主管路，所述主管路的第一端與所述第二干式真空泵相連接；兩個子管路，所述子管路的數量與所述承載臺的數量相同，所述子管路的第一端與所述主管路的第二端相連接，不同的所述子管路的第二端與對應的所述承載臺相連通。

優選地，所述氣壓控制系統還包括第一子管路氣動閥，設置在所述第一子管路上，所述第一子管路氣動閥控制所述第一子管路的通斷；第二子管路氣動閥，設置在所述第二子管路上，所述第二子管路氣動閥控制所述第二子管路的通斷；。

優選地，所述氣壓控制系統還包括第三管路，所述第三管路的第一端與所述第一管路相連通，所述第三管路的第二端與所述第二管路相連通；第二氣動閥，設置在所述第三管路上，用于控制所述第三管路的通斷。