[實用新型]半導(dǎo)體器件及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202220564646.2
• 申請日: 2022-03-15
• 公開（公告）號: CN216902940U
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周晟娟
• 申請（專利權(quán)）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L23/522
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美

本公開涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體是關(guān)于一種半導(dǎo)體器件及電子設(shè)備，所述半導(dǎo)體器件包括：第一集成器件層和第二集成器件層，所述第一集成器件層中設(shè)置有第一IPD電容；所述第二集成器件層堆疊于所述第一集成器件層，所述第二集成器件層中設(shè)置有第二IPD電容，所述第一IPD電容和所述第二IPD電容經(jīng)由連接走線相互連接，能夠提高半導(dǎo)體器件的IPD電容容值。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體器件及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

硅基電容是集成無源器件(IPD，Integrated passive device)的一種，指的是使用半導(dǎo)體加工工藝，在硅晶圓上制造而成的無源電容芯片。IPD電容具有容值穩(wěn)定、去噪頻段寬、超薄、壽命長等優(yōu)勢，在高性能芯片封裝的低功耗設(shè)計中有廣泛的應(yīng)用場景。但是，目前IPD電容存在容值較小的問題。

需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件及電子設(shè)備，進而提高半導(dǎo)體器件中IPD電容的容值。

根據(jù)本公開的第一個方面，提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

第一集成器件層，所述第一集成器件層中設(shè)置有第一IPD電容；

第二集成器件層，所述第二集成器件層堆疊于所述第一集成器件層，所述第二集成器件層中設(shè)置有第二IPD電容，所述第一IPD電容和所述第二IPD電容經(jīng)由連接走線相互連接。

根據(jù)本公開的第二個方面，提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括上述的芯片封裝結(jié)構(gòu)。

本公開實施例提供的半導(dǎo)體器件，包括堆疊設(shè)置的第一集成器件層和第二集成器件層，在第一集成器件層中設(shè)置有第一IPD電容，在第二集成器件層中設(shè)置有第二IPD電容，第一IPD電容和第二IPD電容經(jīng)由連接走線相互連接，能夠增加半導(dǎo)體器件中的電容值。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本公開示例性實施例提供的第一種半導(dǎo)體器件的示意圖；

圖2為本公開示例性實施例提供的第二種半導(dǎo)體器件的示意圖；

圖3為本公開示例性實施例提供的第三種半導(dǎo)體器件的示意圖；

圖4為本公開示例性實施例提供的一種第一IPD電容的示意圖；

圖5為本公開示例性實施例提供的一種第二IPD電容的示意圖；

圖6為本公開實施例提供的一種電子設(shè)備的示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本發(fā)明將全面和完整，并將示例實施方式的構(gòu)思全面地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略它們的詳細描述。