[實用新型]半導體器件及電子設備

有效

• 申請號: 202220564646.2
• 申請日: 2022-03-15
• 公開（公告）號: CN216902940U
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 周晟娟
• 申請（專利權）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L23/522
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

第一集成器件層，所述第一集成器件層中設置有第一IPD電容；

第二集成器件層，所述第二集成器件層堆疊于所述第一集成器件層，所述第二集成器件層中設置有第二IPD電容，所述第一IPD電容和所述第二IPD電容經由連接走線相互連接。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一集成器件層包括：

第一基板；

設置于所述第一基板上的所述第一IPD電容；

第一走線板，所述第一走線板布置于所述第一基板上設置所述第一IPD電容的一面，所述第一走線板中設置有第一連接走線，所述第一連接走線和所述第一IPD電容連接。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第二集成器件層包括：

第二基板，所述第二基板位于所述第一走線板遠離所述第一基板的一側；

第二IPD電容，所述第二IPD電容設置于所述第二基板；

第二走線板，所述第二走線板布置于所述第二基板遠離所述第一走線板的一面，所述第二走線板中設置有第二連接走線，所述第二連接走線和所述第二IPD電容連接。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

過孔，所述過孔至少貫穿于所述第二走線板、所述第二基板和所述第一走線板，以連接所述第一連接走線和所述第二連接走線。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括正極過孔和負極過孔；

所述第一IPD電容包括第一正極電容板和第一負極電容板，所述第二IPD電容包括第二正極電容板和第二負極電容板，所述正極過孔連接所述第一正極電容板和所述第二正極電容板，所述負極過孔連接所述第一負極電容板和所述第二負極電容板。

6.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一走線板包括：

第一走線層，所述第一走線層設于所述第一基板，所述第一走線層中設置有第一走線，所述第一走線連接于所述IPD電容的電極板；

第二走線層，所述第二走線層設于所述第一走線層遠離所述第一基板的一側，所述第二走線層中設置有第二走線，所述第二走線和所述第一走線連接。

7.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第二走線板包括：

第三走線層，所述第三走線層設于所述第二基板遠離所述第一走線板的一側，所述第三走線層中設置有第三走線，所述第三走線連接于所述第二IPD電容的電極板；

第四走線層，所述第四走線層設于所述第三走線層遠離所述第二基板的一側，所述第四走線層中設置有第四走線，所述第四走線和所述第三走線連接。

8.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第二IPD電容在所述第一基板上的正投影和所述第一IPD電容重合。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

M層集成器件層，M層集成器件層依次堆疊于所述第二集成器件層遠離所述第一集成器件層的一側，每層所述集成器件層中均設置有IPD電容；

其中，M為大于等于1的正整數。

10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括權利要求1-9任一所述的半導體器件。