[實(shí)用新型]芯片、智能功率模塊和空調(diào)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202220551646.9 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN217282179U | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 傅振宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海美仁半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02H3/08 | 分類號(hào): | H02H3/08;H02H3/20;H02H5/04 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 單冠飛 |
| 地址: | 201600 上海市松江區(qū)九*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 智能 功率 模塊 空調(diào)器 | ||
1.一種芯片,其特征在于,包括:
支撐架;其中,所述支撐架設(shè)置在焊盤PAD與所述芯片的襯底之間;
內(nèi)置的多個(gè)比較器;其中,多個(gè)所述比較器包括三路單端輸入比較器和至少一路雙端輸入比較器,所述三路單端輸入比較器分別用于檢測(cè)工作電壓、工作電流、所述芯片的工作溫度,至少一路所述雙端輸入比較器用于檢測(cè)電機(jī)位置;
內(nèi)置的溫度采樣模塊;其中,所述溫度采樣模塊用于獲取所述芯片的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其特征在于,其中,
所述焊盤PAD的面積大于設(shè)定面積;其中,所述設(shè)定面積為90微米*90微米;
在所述焊盤PAD上增鍍加厚層;其中,所述加厚層的材質(zhì)為鋁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其特征在于,所述三路單端輸入比較器,包括:
第一比較器,其中,所述第一比較器的輸入端接收所述工作電壓,所述第一比較器的基準(zhǔn)電壓端設(shè)置第一基準(zhǔn)電壓,所述第一比較器的輸出端在所述工作電壓大于所述第一基準(zhǔn)電壓時(shí),輸出電壓保護(hù)信號(hào),以對(duì)所述芯片進(jìn)行過(guò)壓保護(hù);
第二比較器,其中,所述第二比較器的輸入端接收所述工作電流,所述第二比較器的基準(zhǔn)電壓端設(shè)置第二基準(zhǔn)電壓,所述第二比較器的輸出端在所述工作電流對(duì)應(yīng)的電壓大于所述第二基準(zhǔn)電壓時(shí),輸出電流保護(hù)信號(hào),以對(duì)所述芯片進(jìn)行過(guò)流保護(hù);
第三比較器,其中,所述第三比較器的輸入端接收所述芯片的工作溫度,所述第三比較器的基準(zhǔn)電壓端設(shè)置第三基準(zhǔn)電壓,所述第二比較器的輸出端在所述芯片的工作溫度對(duì)應(yīng)的電壓大于所述第三基準(zhǔn)電壓時(shí),輸出溫度保護(hù)信號(hào),以對(duì)所述芯片進(jìn)行過(guò)溫保護(hù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其特征在于,所述內(nèi)置的溫度采樣模塊,包括:
頻率發(fā)生器,所述頻率發(fā)生器設(shè)置有第一輸出端、第二輸出端和第三輸出端,分別用于輸出第一路控制信號(hào)、第二路控制信號(hào)和第三路控制信號(hào);
溫度采樣電路,所述溫度采樣電路分別與所述頻率發(fā)生器的第一輸出端、第二輸出端和第三輸出端連接,用于根據(jù)所述第一路控制信號(hào)、第二路控制信號(hào)和第三路控制信號(hào),生成溫度數(shù)字信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片,其特征在于,所述溫度采樣電路,包括:
偏置電流源組,包括第一偏置電流源和第二偏置電流源,其中,所述第一偏置電流源的一端和所述第二偏置電流源的一端分別與電源連接;
第一組單刀雙擲開(kāi)關(guān),包括第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)和第二單刀雙擲開(kāi)關(guān),其中,所述第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的動(dòng)端與所述第一偏置電流源的另一端連接,所述第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)的動(dòng)端與所述第二偏置電流源的另一端連接,所述第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的控制端和所述第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)的控制端均與所述頻率發(fā)生器的第一輸出端連接;
晶體管組,包括第一晶體管和第二晶體管,其中,所述第一晶體管的一端與所述第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的第一不動(dòng)端連接,所述第一晶體管的另一端接地,所述第二晶體管的一端與所述第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)的第一不動(dòng)端連接,所述第二晶體管的另一端接地;
第二組單刀雙擲開(kāi)關(guān),包括第三單刀雙擲開(kāi)關(guān)和第四單刀雙擲開(kāi)關(guān),其中,所述第三單刀雙擲開(kāi)關(guān)的動(dòng)端通過(guò)第一電容與所述第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)的第二不動(dòng)端連接,所述第四單刀雙擲開(kāi)關(guān)的動(dòng)端通過(guò)第二電容與所述第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的第二不動(dòng)端連接,所述第三單刀雙擲開(kāi)關(guān)的控制端和所述第四單刀雙擲開(kāi)關(guān)的控制端均與所述頻率發(fā)生器的第二輸出端連接;
斬波穩(wěn)定放大器電路,所述斬波穩(wěn)定放大器電路的第一輸入端分別與所述第三單刀雙擲開(kāi)關(guān)的第一不動(dòng)端和所述第四單刀雙擲開(kāi)關(guān)的第二不動(dòng)端連接,所述斬波穩(wěn)定放大器電路的第二輸入端分別與所述第三單刀雙擲開(kāi)關(guān)的第二不動(dòng)端和所述第四單刀雙擲開(kāi)關(guān)的第一不動(dòng)端連接,所述斬波穩(wěn)定放大器電路的第一輸出端作為溫度采樣電路的第一輸出端,所述斬波穩(wěn)定放大器電路的第二輸出端作為溫度采樣電路的第二輸出端。
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