[實用新型]一種抗硫化低阻抗零歐姆片式電阻器

有效

• 申請號: 202220510872.2
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN218768923U
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 趙章迅;張烽;嚴勇;潘甲東;陳冬梅
• 申請（專利權）人: 福建毫米電子有限公司
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H01C1/142
• 代理公司: 泉州君典專利代理事務所(普通合伙) 35239
• 代理人: 宋艷梅

1.一種抗硫化低阻抗零歐姆片式電阻器，其特征在于：包括陶瓷基體、相對設置在陶瓷基體兩端的兩電極、設置在兩電極之間的電阻體、分別設置在兩電極外側的兩鎳層和分別設置在兩鎳層外側的兩錫層，電阻體厚度大于電極厚度，電阻體靠近兩電極的兩端部均設置有延伸部，兩延伸部分別延伸至兩電極上端，兩電極與電阻體先后成型，電極由高鈀含量的銀鈀漿料制成，電阻體由純銀漿料制成。

2.根據權利要求1所述的一種抗硫化低阻抗零歐姆片式電阻器，其特征在于：所述電極端部具有弧面，所述延伸部包括一端設置在所述電阻體端部且與弧面匹配的弧形段和設置在弧形段另一端的水平段，水平段位于所述電極上端。

3.根據權利要求1或2所述的一種抗硫化低阻抗零歐姆片式電阻器，其特征在于：還包括設置在電阻體上的絕緣保護層，絕緣保護層位于兩電極外側的兩鎳層之間。

4.根據權利要求1或2所述的一種抗硫化低阻抗零歐姆片式電阻器，其特征在于：所述電極由所述銀鈀漿料印刷燒制形成，所述電阻體由所述純銀漿料印刷燒制形成。

5.根據權利要求1或2所述的一種抗硫化低阻抗零歐姆片式電阻器，其特征在于：所述鎳層和錫層均由電鍍形成。