[實用新型]一種抗硫化低阻抗零歐姆片式電阻器

有效

• 申請號: 202220510872.2
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN218768923U
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 趙章迅;張烽;嚴勇;潘甲東;陳冬梅
• 申請（專利權）人: 福建毫米電子有限公司
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H01C1/142
• 代理公司: 泉州君典專利代理事務所(普通合伙) 35239
• 代理人: 宋艷梅

本實用新型提供一種抗硫化低阻抗零歐姆片式電阻器，包括陶瓷基體、相對設置在陶瓷基體兩端的兩電極、設置在兩電極之間的電阻體、分別設置在兩電極外側的兩鎳層和分別設置在兩鎳層外側的兩錫層，電阻體厚度大于電極厚度，電阻體靠近兩電極的兩端部均設置有延伸部，兩延伸部分別延伸至兩電極上端，兩電極與電阻體先后成型，電極由高鈀含量的銀鈀漿料制成，電阻體由純銀漿料制成。本實用新型的電阻體與兩電極分別由不同漿料制成，不再一體成型，能夠滿足零歐姆片式電阻器抗硫化且低阻抗的要求，且成本低，適合大規模推廣應用。

技術領域

本實用新型涉及一種抗硫化低阻抗零歐姆片式電阻器。

背景技術

隨著5G、新能源、工業自動化等領域的高速發展，片式電阻器作為一種不可或缺的片式無源電子元件，使用量正呈現出爆發式增長的態勢，而抗硫化零歐姆片式電阻器作為片式電阻器中的一種，因其具備可抵擋大氣中硫及其化合物腐蝕，從而確保阻值穩定性的特殊作用，在一些戶外設備上正得到越來越廣泛的使用。

現有的普通零歐姆片式電阻器因電極與電阻體所用漿料相同，故通常采用電極與電阻體一體化成型的設計，一次性印刷電阻體和電極來形成最大阻抗不超過50mΩ的導電通路，其使用的漿料通常為純銀漿料或者鈀含量少于1%的銀鈀漿料。但純銀或者鈀含量少于1%的銀鈀合金不具備抗硫化功能，而作為高端工業用途或者軍工航天用途的抗硫化零歐姆電阻，則采用高鈀含量的銀鈀漿料一體化印刷燒成電阻體和電極的方案。但由于鈀的電阻率（10.8x10^-6Ω.cm）是銀的電阻率（1.58 x10^-6Ω.cm）的6.8倍，導致此方案生產的零歐姆電阻為了滿足最大阻抗不超過50mΩ的要求，需要加大導電通路的橫截面積，即加大漿料用量，而因鈀是貴金屬，導致此方案原材料成本畸高，不利于規?；褂谩?/p>

實用新型內容

本實用新型提出一種抗硫化低阻抗零歐姆片式電阻器，電阻體與兩電極分別由不同漿料制成，不再一體成型，能夠滿足零歐姆片式電阻器抗硫化且低阻抗的要求，且成本低，適合大規模推廣應用。

本實用新型通過以下技術方案實現：

一種抗硫化低阻抗零歐姆片式電阻器，包括陶瓷基體、相對設置在陶瓷基體兩端的兩電極、設置在兩電極之間的電阻體、分別設置在兩電極外側的兩鎳層和分別設置在兩鎳層外側的兩錫層，電阻體厚度大于電極厚度，電阻體靠近兩電極的兩端部均設置有延伸部，兩延伸部分別延伸至兩電極上端，兩電極與電阻體先后成型，電極由高鈀含量的銀鈀漿料制成，電阻體由純銀漿料制成。

進一步的，所述銀鈀漿料中鈀含量為20%-30%。

進一步的，所述電極端部具有弧面，所述延伸部包括一端設置在所述電阻

體端部且與弧面匹配的弧形段和設置在弧形段另一端的水平段，水平段位于所述電極上端。

進一步的，還包括設置在電阻體上的絕緣保護層，絕緣保護層位于兩電極外側的兩鎳層之間。

進一步的，所述電極由所述銀鈀漿料印刷燒制形成，所述電阻體由所述純銀漿料印刷燒制形成。

進一步的，所述鎳層和錫層均由電鍍形成。

本實用新型具有如下有益效果：

1、本實用新型的電極由高鈀含量的銀鈀漿料制成，具有優秀的抗硫化特性，電阻體則由純銀漿料制成，具有低阻抗特性，電極與電阻體因采用不同材料，故先后成型，電阻體兩端的延伸部分別延伸至兩電極上，以實現電阻體與兩電極的導電連接，如此能夠避免現有技術中電阻體與兩電極一體成型而導致的無法同時滿足抗硫化、低阻抗和低成本的缺陷，無需刻意加厚導電通路的橫截面積，且使用價格較低的純銀作為電阻體，大大降低成本，更適合大規模推廣應用。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型做進一步詳細說明。

圖1為本實用新型的結構示意圖。