[實用新型]一種自帶清洗功能的半導體用剝離液制備裝置

有效

• 申請號: 202220496785.6
• 申請日: 2022-03-07
• 公開（公告）號: CN217093134U
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 童晨;吳海燕;韓成強;孫元;陳桂紅
• 申請（專利權）人: 昆山晶科微電子材料有限公司
• 主分類號: B01F27/906
• 分類號: B01F27/906;B01F35/11
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種自帶清洗功能的半導體用剝離液制備裝置，包括臺架、制備罐、供水機構、攪拌機構和電控箱，攪拌機構包括攪拌電機和攪拌槳，攪拌槳包括一豎向中空軸和連通設置在豎向中空軸外側的若干根橫向中空軸，且攪拌電機的輸出軸依次穿過臺架的臺面以及制備罐與豎向中空軸一端連接，供水箱的底部設置有軸承座，且儲水箱、抽水泵及設置在制備罐上的供水口依次通過管路連接，本實用新型的攪拌機構不僅能對半導體用剝離液進行攪拌制備，且還能自動將供水箱內的清潔水自動噴灑至制備罐內壁，從而實現對制備罐進行自動清洗，相較于傳統的半導體用剝離液制備罐，本實用新型可降低操作人員勞動強度，且還能提高清洗效率。

技術領域

本實用新型涉及半導體用剝離液生產技術領域，尤其涉及一種自帶清洗功能的半導體用剝離液制備裝置。

背景技術

干法蝕刻是在半導體電路元件制造工序中，用于形成層間絕緣膜材料、布線材料等的圖案最為重要的技術。干法蝕刻在層間絕緣膜材料、布線材料的基板上，通過濺射、CVD、電鍍、旋圖光致抗蝕劑、干法氣體蝕刻得到圖案。在干法蝕刻后的基板上，殘留著作為掩膜使用的光致抗蝕劑、以及光致抗蝕劑與蝕刻氣體反應所形成的光致抗蝕劑變質層，而且因為蝕刻而裸露在被蝕刻材料的側壁上，殘留著側壁保護沉積膜。這些光致抗蝕劑、變質層以及側壁保護沉積膜在進入下道工序制造之前，必須從基板上除去。

且在這些光致抗蝕劑、變質層以及側壁保護沉積膜從基板上除去時則用到剝離液；現有的半導體用玻璃液在制備結束后，需要人工手動向制備罐內注水已對其進行內部進行清洗，這樣不僅增強了操作人員的勞動強度，且也無法將制備罐進行清洗干凈，所以本實用新型旨在對傳統的半導體用剝離液制備罐進行改進。

實用新型內容

實用新型目的：為了解決背景技術中存在的不足，所以本實用新型公開了一種自帶清洗功能的半導體用剝離液制備裝置。

技術方案：一種自帶清洗功能的半導體用剝離液制備裝置，包括臺架、制備罐、供水機構、攪拌機構和電控箱，所述制備罐設置在臺架的臺面中部，所述電控箱安裝在制備罐的外表面，所述制備罐的上側邊和下側邊分別設置有投料口及排料口，所述制備罐的頂部內壁設置有供水箱，且所述制備罐的頂部與供水箱之間連通設置有供水口；

所述攪拌機構包括攪拌電機和攪拌槳，所述攪拌槳包括一豎向中空軸和連通設置在豎向中空軸外側的若干根橫向中空軸，且所述豎向中空軸和若干根橫向中空軸表面均設置有多個噴水口，所述攪拌電機設置在臺架的底部，且所述攪拌電機的輸出軸依次穿過臺架的臺面以及制備罐與豎向中空軸一端連接，所述供水箱的底部設置有軸承座，且所述豎向中空軸的另一端穿過軸承座并伸進供水箱內部設置；

所述供水機構包括儲水箱和抽水泵，所述儲水箱和抽水泵均設置在臺架的臺面一側，所述抽水泵與電控箱電連接，且所述儲水箱、抽水泵及設置在制備罐上的供水口依次通過管路連接。

進一步的是，每上下兩根橫向中空管中間均通過加強柱連接。

進一步的是，所述電控箱的內部設置有控制器，所述電控箱的箱門上設置有與控制器電性連接的觸摸顯示屏。

進一步的是，所述制備罐的排料口通過負壓管外接有負壓泵，且所述負壓泵與控制器電性連接。

進一步的是，所述供水箱的底部一側設置有液位傳感器，且所述液位傳感器與控制器電性連接。

本實用新型實現以下有益效果：

本實用新型的攪拌機構不僅能對半導體用剝離液進行攪拌制備，且還能自動將供水箱內的清潔水自動噴灑至制備罐內壁，從而實現對制備罐進行自動清洗，相較于傳統的半導體用剝離液制備罐，本實用新型可降低操作人員勞動強度，且還能提高清洗效率。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，并于說明書一起用于解釋本公開的原理。