[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 202220478999.0
• 申請日: 2022-03-07
• 公開（公告）號: CN217361582U
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 永井享浩
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本實用新型公開了一種半導體裝置，半導體裝置包括襯底、多條位線、多個位線觸點、閘極結構、第一氧化界面層以及第二氧化界面層。位線設置于襯底上，位線觸點位在部分的位線的下方。閘極結構設置于襯底上，位線以及閘極結構分別包括依序堆迭的半導體層、阻障層、導電層以及蓋層。第一氧化界面層設置于位線觸點以及位線的半導體層之間。第二氧化界面層設置于閘極的半導體層內，所述第一氧化界面層的最頂面高于所述第二氧化界面層的最頂面。如此，位線及位線觸點能具備較佳的結構可靠度，使半導體裝置能達到更為優化的組件效能。

技術領域

本實用新型是關于一種半導體裝置，特別是一種半導體存儲裝置及其形成方法。

背景技術

隨著各種電子產品朝小型化發展之趨勢，半導體存儲裝置的設計也必須符合高積集度及高密度之要求。對于具備凹入式閘極結構之動態隨機存取存儲器(dynamic randomaccess memory,DRAM)而言，由于其可以在相同的半導體襯底內獲得更長的載子通道長度，以減少電容結構之漏電情形產生，因此在目前主流發展趨勢下，其已逐漸取代僅具備平面閘極結構的動態隨機存取記憶體。

一般來說，具備凹入式閘極結構的動態隨機存取存儲器是由數目龐大的存儲單元(memory cell)聚集形成一陣列區，用來存儲信息，而每一存儲單元可由一晶體管組件與一電容器組件串聯組成，以接收來自于字線(word line,WL)及位線(bit line,BL)的電壓信息。因應產品需求，陣列區中的存儲單元密度須持續提升，造成相關制作工藝與設計上的困難度與復雜度不斷增加。因此，現有技術還待進一步改良以有效提升相關存儲裝置的效能及可靠度。

實用新型內容

本實用新型之一目的在于提供一種半導體裝置，其系形成具有復合半導體層的位線與閘極結構，進而可改善位線及位線觸點的結構可靠度，使所述半導體裝置能達到更為優化的組件效能。

為達上述目的，本實用新型之一實施例提供一種半導體裝置，其包括襯底、多條位線、多個位線觸點、閘極結構、第一氧化界面層以及第二氧化界面層。所述位線設置于所述襯底上。所述觸點設置于所述襯底內并位在部分的所述位線的下方。所述閘極結構設置于所述襯底上，其中，所述位線以及所述閘極結構分別包括依序堆迭的半導體層、阻障層、導電層以及蓋層。所述第一氧化界面層設置于所述位線觸點以及所述位線的所述半導體層之間。所述第二氧化界面層設置于所述閘極結構的所述半導體層內，其中，所述第一氧化界面層的最頂面高于所述第二氧化界面層的最頂面。

為達上述目的，本實用新型之一實施例提供一種半導體裝置的形成方法，其包括以下步驟。首先，提供一襯底，于所述襯底上形成多條位線。然后，于所述襯底內形成多個位線觸點，位在部分的所述位線的下方。接著，于所述襯底上形成閘極結構，其中，所述位線以及所述閘極結構包括依序堆迭的半導體層、阻障層、導電層以及蓋層。并且，于所述位線觸點以及所述位線的所述半導體層之間形成第一氧化界面層，于所述閘極結構的所述半導體層內形成第二氧化界面層，其中，所述第一氧化界面層的最頂面高于所述第二氧化界面層的最頂面。

為達上述目的，本實用新型之一實施例提供一種半導體裝置，其包括襯底、多條位線、多個位線觸點、閘極結構、以及氧化界面層。所述位線設置于所述襯底上。所述觸點設置于所述襯底內并位在部分的所述位線的下方。所述閘極結構設置于所述襯底上，其中，所述位線以及所述閘極結構分別包括依序堆迭的半導體層、阻障層、導電層以及蓋層。所述氧化界面層設置于所述位線觸點以及所述位線的所述半導體層之間。

附圖說明

所附圖示提供對于本實用新型實施例的更深入的了解，并納入此說明書成為其中一部分。這些圖示與描述，用來說明一些實施例的原理。需注意的是所有圖示均為示意圖，以說明和制圖方便為目的，相對尺寸及比例都經過調整。相同的符號在不同的實施例中代表相對應或類似的特征。

圖1至圖5為本實用新型第一實施例中半導體裝置的形成方法的步驟示意圖，其中：

圖1為一半導體裝置于形成字線后的俯視示意圖；