[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 202220478999.0
• 申請日: 2022-03-07
• 公開（公告）號: CN217361582U
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 永井享浩
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種半導體裝置，其特征在于包括：

襯底；

多條位線，設置于所述襯底上；

多個位線觸點，設置于所述襯底內并位在部分的所述位線的下方；閘極結構，設置于所述襯底上，其中，所述位線以及所述閘極結構分別包括依序堆迭的半導體層、阻障層、導電層以及蓋層；

第一氧化界面層，設置于所述位線觸點以及所述位線的所述半導體層之間；以及

第二氧化界面層，設置于所述閘極結構的所述半導體層內，其中，所述第二氧化界面層的最頂面高于所述第一氧化界面層的最頂面。

2.根據權利要求1所述之半導體裝置，其特征在于，所述位線觸點與所述位線的所述半導體層包括相同的材質。

3.根據權利要求1所述之半導體裝置，其特征在于，所述閘極結構的所述半導體層包括依序堆迭的第一半導體層以及第二半導體層，所述第二氧化界面層設置在所述第一半導體層以及所述第二半導體層之間。

4.根據權利要求3所述之半導體裝置，其特征在于，所述第一半導體層以及所述第二半導體層包括相同的材質。

5.根據權利要求1所述之半導體裝置，其特征在于，所述襯底包括存儲區域以及周邊區域，所述閘極結構以及所述第二氧化界面層設置于所述周邊區域內，所述位線、所述位線觸點以及所述第一氧化界面層設置于所述存儲區域內。

6.根據權利要求1所述之半導體裝置，其特征在于，所述位線觸點包括多個氣孔，所述位線的所述半導體層填滿所述氣孔。

7.根據權利要求6所述之半導體裝置，其特征在于，所述第一氧化界面層部分位在所述氣孔表面。

8.根據權利要求1所述之半導體裝置，其特征在于，所述閘極結構的所述蓋層與所述位線的所述蓋層包括相同的材質，且所述閘極結構的所述蓋層與所述位線的所述蓋層的頂面不互相等高。

9.一種半導體裝置，其特征在于包括：

襯底；

多條位線，設置于所述襯底上；

多個位線觸點，設置于所述襯底內并位在部分的所述位線的下方；閘極結構，設置于所述襯底上，其中，所述位線以及所述閘極結構分別包括依序堆迭的半導體層、阻障層、導電層以及蓋層；以及

氧化界面層，設置于所述位線觸點以及所述位線的所述半導體層之間。

10.根據權利要求9所述之半導體裝置，其特征在于，所述位線觸點、所述閘極結構的所述半導體層與所述位線的所述半導體層包括相同的材質。

11.根據權利要求10所述之半導體裝置，其特征在于，所述襯底包括存儲區域以及周邊區域，所述閘極結構設置于所述周邊區域內，所述位線、所述位線觸點以及所述氧化界面層設置于所述存儲區域內。

12.根據權利要求9所述之半導體裝置，其特征在于，所述閘極結構的所述蓋層與所述位線的所述蓋層包括相同的材質，且所述閘極結構的所述蓋層與所述位線的所述蓋層的頂面互相等高。