[實用新型]一種可實現過大電流的改良型MOS管結構

有效

• 申請號: 202220428743.9
• 申請日: 2022-02-28
• 公開（公告）號: CN216902905U
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 江子標;劉賀
• 申請（專利權）人: 江蘇銓力半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請涉及一種可實現過大電流的改良型MOS管結構，屬于MOS管的技術領域，包括封裝外殼、設置于封裝外殼內的芯片以及插接到封裝外殼內且與芯片連接的引腳，還包括散熱裝置，散熱裝置包括散熱板以及用于將散熱板安裝在封裝外殼的外部的連接組件，散熱板上設置有散熱管，散熱管的一端與芯片連接，本申請為了能夠在無需額外鋪設厚銅工藝或者加銅條工藝的條件下保證大電流安全通過，提高MOS管的使用壽命，提供了一種可實現過大電流的改良型MOS管結構。

技術領域

本申請涉及MOS管的領域，尤其是涉及一種可實現過大電流的改良型MOS管結構。

背景技術

MOS管是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）。一般是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。

它是通過把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化，FET的增益等于它的跨導，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比，市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓MOS管。

MOS管主要是為配件提供穩定的電壓，MOS管在使用過程中，需要承受得通過的電流很大，如此巨大的電流通過時產生的熱量自然會使MOS管產生巨大的熱量，傳統的MOS管為了可以實現大電流的通過需要在引腳輸出端鋪設厚銅工藝或者加銅條工藝，以增加MOS管的散熱性能，使其適應大電流的通過，但這類工藝生產復雜且容易形成錫珠、錫渣。

發明內容

為了能夠在無需額外鋪設厚銅工藝或者加銅條工藝的條件下保證大電流安全通過，提高MOS管的使用壽命，本申請提供一種可實現過大電流的改良型MOS管結構。

本申請提供的一種可實現過大電流的改良型MOS管結構，采用如下的技術方案：

一種可實現過大電流的改良型MOS管結構，包括封裝外殼、設置于所述封裝外殼內的芯片以及插接到所述封裝外殼內且與所述芯片連接的引腳，其特征在于，還包括散熱裝置，所述散熱裝置包括散熱板以及用于將所述散熱板安裝在所述封裝外殼的外部的連接組件，所述散熱板上設置有散熱管，所述散熱管的一端與所述芯片連接。

通過采用上述技術方案，設置與芯片相連接的散熱管，利用散熱管將芯片工作時產生的熱量傳導到位于封裝外殼外部安裝的散熱板上進行散熱，增加MOS管的散熱性能，提高了芯片的散熱效率，降低芯片工作時的溫度，從而能夠在無需額外鋪設厚銅工藝或者加銅條工藝的條件下保證大電流安全通過，提高MOS管的使用壽命。

優選的，所述連接組件包括連接桿，所述連接桿的一端與所述散熱板的一側連接，所述封裝外殼上開設有安裝孔，所述連接桿的另一端插接到所述安裝孔內，所述封裝外殼上還設置有用于將所述連接桿固定在所述安裝孔內的固定件。

通過采用上述技術方案，在封裝外殼上設置安裝孔與連接桿進行相互配合，再利用固定件實現散熱板與封裝外殼的可拆卸式安裝，從而使散熱板出現損壞時能夠直接更換，同時方便拆卸進行維護保養，進一步降低成本。

優選的，所述固定件包括卡接腳，所述卡接腳以所述連接桿軸線對稱設置有兩個，所述卡接腳鉸接于所述封裝外殼，所述卡接腳的一端設置有卡接塊，所述連接桿上開設有適配于所述卡接塊的卡接槽，所述固定件還包括滑動套設于所述連接桿上的轉動螺母，當所述卡接塊卡接于所述卡接槽時，所述卡接腳緊貼于所述連接桿的表面，所述轉動螺母可螺紋連接在所述卡接腳的表面上。

通過采用上述技術方案，當連接柱卡接到安裝孔時，可轉動鉸接在封裝外殼表面上的卡接腳，將卡接腳上的卡接塊嵌入卡接槽內，隨后將套設在連接桿上的轉動螺母螺紋轉動連接在卡接腳上，從而實現連接桿與安裝孔的的快速安裝，提高安裝效率。