[實用新型]一種可實現過大電流的改良型MOS管結構有效
| 申請號: | 202220428743.9 | 申請日: | 2022-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN216902905U | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發明(設計)人: | 江子標;劉賀 | 申請(專利權)人: | 江蘇銓力半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/367 | 分類號: | H01L23/367;H01L23/40 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 213000 江蘇省常州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 實現 過大 電流 改良 mos 結構 | ||
1.一種可實現過大電流的改良型MOS管結構,包括封裝外殼(1)、設置于所述封裝外殼(1)內的芯片(2)以及插接到所述封裝外殼(1)內且與所述芯片(2)連接的引腳(3),其特征在于,還包括散熱裝置(4),所述散熱裝置(4)包括散熱板(41)以及用于將所述散熱板(41)安裝在所述封裝外殼(1)的外部的連接組件(42),所述散熱板(41)上設置有散熱管(411),所述散熱管(411)的一端與所述芯片(2)連接。
2.根據權利要求1所述的一種可實現過大電流的改良型MOS管結構,其特征在于,所述連接組件(42)包括連接桿(421),所述連接桿(421)的一端與所述散熱板(41)的一側連接,所述封裝外殼(1)上開設有安裝孔(11),所述連接桿(421)的另一端插接到所述安裝孔(11)內,所述封裝外殼(1)上還設置有用于將所述連接桿(421)固定在所述安裝孔(11)內的固定件(422)。
3.根據權利要求2所述的一種可實現過大電流的改良型MOS管結構,其特征在于,所述固定件(422)包括卡接腳(4221),所述卡接腳(4221)以所述連接桿(421)軸線對稱設置有兩個,所述卡接腳(4221)鉸接于所述封裝外殼(1),所述卡接腳(4221)的一端設置有卡接塊(4222),所述連接桿(421)上開設有適配于所述卡接塊(4222)的卡接槽(4211),所述固定件(422)還包括滑動套設于所述連接桿(421)上的轉動螺母(4223),當所述卡接塊(4222)卡接于所述卡接槽(4211)時,所述卡接腳(4221)緊貼于所述連接桿(421)的表面,所述轉動螺母(4223)可螺紋連接在所述卡接腳(4221)的表面上。
4.根據權利要求3所述的一種可實現過大電流的改良型MOS管結構,其特征在于,所述安裝孔(11)的內側壁開設有連通所述封裝外殼(1)表面的限位槽(111),所述限位槽(111)錯開所述卡接腳(4221)設置,所述連接桿(421)上設置有卡接于所述限位槽(111)的限位條(4212),所述限位條(4212)沿所述連接桿(421)軸向方向設置。
5.根據權利要求1所述的一種可實現過大電流的改良型MOS管結構,其特征在于,所述封裝外殼(1)表面開設有連通所述芯片(2)的散熱孔(12),所述散熱孔(12)錯開所述散熱裝置(4)設置。
6.根據權利要求1所述的一種可實現過大電流的改良型MOS管結構,其特征在于,所述散熱板(41)遠離所述封裝外殼(1)的一側排列設置有散熱鰭片(412)。
7.根據權利要求1所述的一種可實現過大電流的改良型MOS管結構,其特征在于,所述芯片(2)與所述散熱管(411)連接的一側設置有導熱塊(21),當所述散熱裝置(4)安裝在所述封裝外殼(1)的外部表面時,所述導熱塊(21)連接于所述散熱管(411)的一端。
8.根據權利要求1所述的一種可實現過大電流的改良型MOS管結構,其特征在于,所述封裝外殼(1)遠離所述引腳(3)的一側設置有用于連接電路板的漏極鐵頭(5),所述漏極鐵頭(5)與所述芯片(2)連接。
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