[實用新型]一種全橋功率器件的封裝結構

有效

• 申請號: 202220375463.6
• 申請日: 2022-02-23
• 公開（公告）號: CN216849934U
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 廖光朝;張小兵
• 申請（專利權）人: 深圳云潼科技有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/495;H01L23/488;H01L23/49;H01L23/29
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

本實用新型實施例公開了一種全橋功率器件的封裝結構。該結構包括引線框架，引線框架包括m個基島，m個基島沿第一方向依次排列；m個晶體管，每一晶體管與一基島對應，且每一晶體管設置于其對應的基島表面；晶體管包括第一晶體管組和第二晶體管組，第一晶體管組包括m/2個晶體管；第二晶體管組包括m/2個晶體管；第一晶體管組中的m/2個晶體管的漏極串聯電連接；第一晶體管組中的m/2個晶體管的源極分別與第二晶體管組中的m/2個晶體管的漏極一一對應電連接；第二晶體管組中的m/2個晶體管的漏極作為信號輸出端；m為大于或等于2的偶數。本實用新型實施例減小應用全橋功率器件的印刷電路板占用面積，提高散熱效果和產品一致性。

技術領域

本實用新型實施例涉及半導體技術領域，尤其涉及一種全橋功率器件的封裝結構。

背景技術

目前市場上直流12V三相泵類電機控制板均需要使用多個金屬-氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)器件作為三相工作電壓的驅動控制電路，產生泵和電機工作的三相工作電壓。

現有技術一般采用3pcs MOSFET半橋器件設計組合焊接在印刷電路板上組成全橋功率控制方案；但是，這種方案導致印刷電路板占用面積大，散熱差；印刷電路板排線布局設計復雜，器件一致性差。

實用新型內容

本實用新型提供一種全橋功率器件的封裝結構，以減小印刷電路板占用面積，提高散熱效果，降低印刷電路板排線布局設計難度，提高器件一致性。

本實用新型實施例提供了一種全橋功率器件的封裝結構，該封裝結構包括：

引線框架，所述引線框架包括m個基島，m個所述基島沿第一方向依次排列；

m個晶體管，每一晶體管與一基島對應，且每一晶體管設置于其對應的基島表面；

所述晶體管包括第一晶體管組和第二晶體管組，所述第一晶體管組包括m/2個晶體管；所述第二晶體管組包括m/2個晶體管；

所述第一晶體管組中的m/2個晶體管的漏極串聯電連接；

所述第一晶體管組中的m/2個晶體管的源極分別與所述第二晶體管組中的m/2個晶體管的漏極一一對應電連接；

所述第二晶體管組中的m/2個晶體管的漏極作為信號輸出端；其中，m為大于或等于2的偶數。

可選地，所述m的取值為6。

可選地，所述第二晶體管組中的m/2個晶體管不相鄰。

可選地，全橋功率器件的封裝結構還包括：

m個絕緣設置的柵極連接電極，m個所述柵極連接電極與m個所述晶體管的柵極一一對應電連接；

m個所述柵極連接電極設置于所述引線框架的第一區域，其中，所述第一區域沿第二方向位于所述基島的一側，所述第二方向與所述第一方向相互垂直。

可選地，全橋功率器件的封裝結構還包括：m/2個源極連接電極，m/2個所述源極連接電極與所述第二晶體管組中的晶體管的源極一一對應電連接；

m/2個所述源極連接電極設置于所述引線框架的第二區域，其中，所述第一區域與所述第二區域沿第二方向位于基島的兩側。

可選地，全橋功率器件的封裝結構還包括：

m/2個漏極連接電極，所述m/2個所述漏極連接電極與所述第一晶體管組中晶體管的漏極一一對應電連接；

m/2個所述漏極連接電極設置于所述引線框架的第二區域。

可選地，全橋功率器件的封裝結構還包括：m/2個輸出電極，所述輸出電極與所述第二晶體管組中晶體管的漏極一一對應電連接；