[實用新型]加料管和具有其的單晶生長設備

有效

• 申請號: 202220328367.6
• 申請日: 2022-02-17
• 公開（公告）號: CN217556346U
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 陳俊宏;邢微波
• 申請（專利權）人: 徐州鑫晶半導體科技有限公司
• 主分類號: C30B15/02
• 分類號: C30B15/02;C30B15/00;C30B29/36
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 吳婷

本實用新型公開了一種加料管和具有其的單晶生長設備，所述加料管用于單晶生長設備，所述單晶生長設備包括：坩堝和所述加料管，所述坩堝適于盛放硅熔湯，所述加料管包括：管本體，所述管本體限定出輸料通道和多個用于儲放硅原料的儲料腔，多個所述儲料腔均和所述輸料通道連通，所述輸料通道適于將多個所述儲料腔內的硅原料投放至所述坩堝；開關組件，所述開關組件適于分別控制多個所述儲料腔與所述輸料通道的通斷。根據本實用新型的加料管，更容易控制硅原料的投放量，也可以防止硅原料進入硅熔湯時造成的高溫硅熔湯的飛濺，從而提升了單晶生長設備運行的安全性和可靠性。

技術領域

本實用新型涉及碳化硅單晶生長技術領域，尤其是涉及一種加料管和具有其的單晶生長設備。

背景技術

相關技術中，通常使用多段拉晶技術以降低制備晶棒的成本，在拉制出一個晶棒后，需要使用加料管向石英坩堝內補充多晶硅原料，以補足由于上次提拉晶棒而減少的硅熔湯。但是在使用加料管向石英坩堝內補充多晶硅原料時，由于加料管與熔湯液面之間存在高度差，當加料管的加料口打開時，在重力的作用下，大量的多晶硅從加料管掉落至熔湯，容易造成熔湯的飛濺，影響晶體生長裝置工作的可靠性。

實用新型內容

本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本實用新型在于提出一種加料管，所述加料管可以防止加料時高溫硅熔湯的飛濺，提高單晶生長設備的安全性和可靠性。

本實用新型還提出一種具有上述加料管的單晶生長設備。

根據本實用新型實施例第一方面的加料管，用于單晶生長設備，所述單晶生長設備包括：坩堝和所述加料管，所述坩堝適于盛放硅熔湯，所述加料管包括：管本體，所述管本體限定出輸料通道和多個用于儲放硅原料的儲料腔，多個所述儲料腔均和所述輸料通道連通，所述輸料通道適于將多個所述儲料腔內的硅原料投放至所述坩堝；開關組件，所述開關組件適于分別控制多個所述儲料腔與所述輸料通道的通斷。

根據本實用新型實施例的加料管，通過設置多個儲料腔，可以在需要向坩堝內投料時來選擇投放一個或多個儲料腔內的硅原料，與相關技術中加料管僅設有一個儲料腔，在打開儲料腔時將全部的硅原料均投入硅熔湯相比，一方面更易于控制每次投放硅原料時的投放量，另一方面，可以防止大量的硅原料進入硅熔湯時造成的高溫硅熔湯的飛濺，提升了單晶生長設備運行的安全性和可靠性。此外，多個儲料腔中的硅原料均通過輸料通道來投放，更容易控制和調整落料區域。

根據本實用新型的一些實施例，所述管本體包括：外管；內管，所述內管位于所述外管的內側，所述內管限定出所述輸料通道；多個隔板，多個所述隔板間隔設于所述外管與所述內管之間，多個所述隔板與所述外管以及所述內管共同限定出多個所述儲料腔，所述內管上形成有與多個所述儲料腔一一對應的多個連通口，所述連通口連通所述儲料腔和所述輸料通道，所述開關組件適于打開或關閉多個所述連通口。

進一步地，多個所述隔板沿所述內管的周向間隔布置，多個所述隔板與所述外管以及所述內管共同限定出沿所述內管的軸向延伸且沿所述內管的周向間隔布置的多個所述儲料腔，所述連通口位于所述儲料腔的鄰近底端的位置。

再進一步地，所述儲料腔的底壁沿所述內管的徑向向內且沿軸向向下的方向傾斜延伸。

根據本實用新型的一些實施例，所述開關組件包括：多個開關門，多個所述開關門與多個所述連通口一一對應且適配，所述開關門沿所述內管的軸向且遠離所述坩堝的一端與所述內管樞轉連接。

根據本實用新型的一些實施例，所述加料管還包括：驅動件，所述驅動件與所述管本體相連，所述驅動件適于驅動所述管本體繞所述管本體的中心軸線轉動以帶動多個所述儲料腔轉動。

在一些實施例中，所述加料管還包括：導向蓋，所述導向蓋適于封堵所述輸料通道的鄰近所述坩堝的一端，所述導向蓋適于在第一位置和第二位置之間移動，所述導向蓋在所述第一位置時，所述輸料通道被關閉，所述導向蓋在所述第二位置時，所述輸料通道被打開，所述儲料腔內的硅原料適于通過所述輸料通道輸送至所述坩堝。