[實用新型]一種氮化鎵發光二極管外延片

有效

• 申請號: 202220326794.0
• 申請日: 2022-02-18
• 公開（公告）號: CN216958071U
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 解向榮;吳永勝;劉恒山;馬野
• 申請（專利權）人: 福建兆元光電有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 唐燕玲

1.一種氮化鎵發光二極管外延片，其特征在于，包括在襯底上依次生長的氮化鋁薄膜緩沖層、非摻雜氮化鎵層、非摻雜鋁鎵氮層和重摻雜N型氮化鎵層；

所述重摻雜N型氮化鎵層包括依次生長的進行粗化和邊緣處理的第一重摻雜N型氮化鎵層、圖形化刻蝕的二氧化硅層以及在所述第一重摻雜N型氮化鎵層和所述二氧化硅層表面上生長的第二重摻雜N型氮化鎵層。

2.根據權利要求1所述的一種氮化鎵發光二極管外延片，其特征在于，所述二氧化硅層為刻蝕有預設間距的圖形化二氧化硅層，所述二氧化硅層圖形間隔處的刻蝕深度等于所述二氧化硅層的高度。

3.根據權利要求2所述的一種氮化鎵發光二極管外延片，其特征在于，所述二氧化硅層為刻蝕成納米級凹面周期排列的圖形化材料，所述二氧化硅層的圖形化間距為0.15-0.5μm，所述圖形包括正六角形、正四方形、正圓形或者正圓錐形。

4.根據權利要求1所述的一種氮化鎵發光二極管外延片，其特征在于，所述第一重摻雜N型氮化鎵層的厚度為0.5-1μm。

5.根據權利要求1所述的一種氮化鎵發光二極管外延片，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為10-20nm。

6.根據權利要求1所述的一種氮化鎵發光二極管外延片，其特征在于，所述第二重摻雜N型氮化鎵層的厚度為1.5-2μm。

7.根據權利要求1所述的一種氮化鎵發光二極管外延片，其特征在于，所述第二重摻雜N型氮化鎵層上包括依次生長的低摻雜N型氮化鎵層、低溫應力釋放層、應力釋放循環層、降溫過渡層、有源區、低溫P型銦鎵氮層，電子阻擋層、P型氮化鎵空穴提供層以及重摻雜P型銦鎵氮接觸層。