[實用新型]一種LED封裝結構及照明或顯示裝置

有效

• 申請號: 202220320238.2
• 申請日: 2022-02-17
• 公開（公告）號: CN217009219U
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 吳雙;柯志杰;談江喬;艾國齊
• 申請（專利權）人: 廈門乾照半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/56
• 分類號: H01L33/56;F21V19/00;G09F9/33;F21Y115/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型提供了一種LED封裝結構及照明或顯示裝置，通過透鏡罩住所述LED芯片及封裝膠與所述基座形成腔體；所述腔體由外而內依次設有防鹽霧層、熒光粉層，或在所述腔體內設有熒光粉層且所述LED芯片表面包覆有防鹽霧層，以抑制鹽霧對LED芯片腐蝕；進一步地，所述防鹽霧層包括將超分子環化合物(即triazolophane化合物)結合至環氧樹脂的支鏈形成高分子膜層，以實現對鹽霧中的氯離子進行結合。如此，通過超分子環化合物(即triazolophane化合物)，一方面可以固定住鹽霧中的氯離子使其無法自由移動，另一方面可以形成雙電層效應，利用靜電作用屏蔽氯離子的滲透，最終起到減小電解質濃度，無法形成原電池效應。

技術領域

本實用新型涉及發光二極管領域，尤其涉及一種LED封裝結構及照明或顯示裝置。

背景技術

發光二極管(LightEmittingDiode，簡稱LED)具有發光強度大、效率高、體積小、使用壽命長等優點，被認為是當前最具有潛力的光源之一。近年來， LED已在日常生活中得到廣泛應用，例如照明、信號顯示、背光源、車燈和大屏幕顯示等領域。

一般使用條件下，LED芯片電極的金屬不會遷移，但隨著芯片尺寸越來越小，加上濕度和溫度、電解質深度等引發電位差發生變化，在芯片表面的 P、N區域間、燈內PCB導電線條間，燈外電極與線條間，以及模組PCB電極或線條間，只要存在這種電位差，潛在的金屬遷移趨勢就已經形成，而且往往從最薄弱(即距離小電位差最大)的地方首先發生遷移，造成漏電。對于各種RGB方案來說，目前所能做的，只是設法延長從開始形成遷移的趨勢到因遷移而導致產品失效的過程時間而已。

LED燈珠鹽霧對金屬材料的腐蝕，主要是導電的鹽溶液滲入金屬內部發生電化學反應，形成“低電位金屬-電解質溶液-高電位雜質”微電池系統，發生電子轉移，作為陽極的金屬出現溶解，形成新的化合物即腐蝕物。

LED燈珠鹽霧腐蝕破壞過程中起主要作用的是氯離子。它具有很強的穿透本領，容易穿透金屬氧化層進入金屬內部，破壞金屬的鈍態。同時，氯離子具有很小的水合能，容易被吸附在金屬表面，取代保護金屬的氧化層中的氧，使金屬受到破壞。如果能夠對氯離子進行固定或者隔離，就可以減少金屬層的腐蝕。

有鑒于此，本發明人專門設計了一種LED封裝結構及照明或顯示裝置，本案由此產生。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種LED封裝結構及照明或顯示裝置，以解決現有的LED芯片被鹽霧破壞的技術問題。

為了實現上述目的，本實用新型采用的技術方案如下：

一種LED封裝結構，包括基座、LED芯片、封裝膠、熒光粉層、防鹽霧層以及透鏡；

其中，所述基座具有杯碗及固定安裝于所述基座兩側的導電電極，所述 LED芯片通過所述封裝膠固定于所述杯碗；且所述LED芯片的正、負極分別通過金線引出后與所述導電電極對應連接；所述透鏡罩住所述LED芯片及封裝膠與所述基座形成腔體；所述腔體由外而內依次設有防鹽霧層、熒光粉層，或在所述腔體內設有熒光粉層且所述LED芯片表面包覆有防鹽霧層。

優選地，所述防鹽霧層包括超分子環化合物層(即triazolophane化合物)，以實現對鹽霧中的氯離子進行結合。

優選地，所述防鹽霧層包括將超分子環化合物(即triazolophane化合物) 結合至環氧樹脂的支鏈形成高分子膜層，以實現對鹽霧中的氯離子進行結合。

優選地，所述防鹽霧層包括將穴醚化合物結合至環氧樹脂的支鏈形成高分子膜層，以實現對鹽霧中的陽離子進行結合。

優選地，所述防鹽霧層包括分別將超分子環化合物(即triazolophane化合物)和穴醚化合物結合至環氧樹脂的支鏈形成高分子膜層，以實現對鹽霧的結合。

優選地，所述穴醚化合物包括穴醚C[2，2，1]，以實現對鹽霧中的鈉離子進行結合。