[實用新型]一種溫控裝置的加液口蓋帽及溫控裝置的排氣系統有效
| 申請號: | 202220238947.6 | 申請日: | 2022-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN216749828U | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發明(設計)人: | 袁鵬華;徐菲斐;韓明聰 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人: | 鐘玉敏 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溫控 裝置 口蓋 排氣 系統 | ||
本實用新型提供了一種溫控裝置的加液口蓋帽及溫控裝置的排氣系統,加液口蓋帽包括固定部、連通部、第一通氣孔、第二通氣孔、第三通氣孔、第四通氣孔、第一彈性元件、第二彈性元件、第一密封板和第二密封板;第一通氣孔設置在第一內腔的一端,第一內腔的另一端與第二內腔的一端連通;第二通氣孔和第三通氣孔分別設置在連通部上;第四通氣孔設置在第二密封板上;第一彈性部件安裝在第一內腔中;第一密封板在第一內腔和第二內腔中可往復移動;第二密封板在第二內腔中可往復移動。當冷卻液儲液罐體內的揮發性有機物等氣體積聚過多時可以排出至污染氣體處理裝置中,防止污染氣體釋放到廠房內。
技術領域
本實用新型涉及刻蝕設備技術領域,特別涉及一種溫控裝置的加液口蓋帽及溫控裝置的排氣系統。
背景技術
隨著半導體先進制程的推進,良率問題成為一大挑戰,任何細小錯誤都將導致重新流片,控制影響制品良率的環境因素變得越來越重要,越早發現和消除不良環境因素就等同于減少損失、獲取更大利潤。不良環境因素主要包括TVOC(Total Volatile OrganicCompounds,總揮發性有機物),廠內一般會安裝多個監測點用于監測TVOC。
參考圖1、圖2和圖9所示,刻蝕機臺包括溫控裝置(chiller,溫控裝置),溫控裝置包括加液口蓋帽、加液管2201和冷卻液儲液罐體22(tank,冷卻液儲液罐體),加液口蓋帽蓋在加液管2201的加液口位置,加液管2201與冷卻液儲液罐體22連通。加液口蓋帽通常通過螺紋與加液管的加液口連接,有些加液口蓋帽通過卡箍進行加固。溫控裝置在運行過程中和開關機過程中,冷卻液儲液罐體22內的壓力處于變化狀態,當冷卻液儲液罐體22內的壓力過大時,揮發的冷卻液通過加液蓋帽等可能會松動的部位釋放到廠內環境中,釋放的氣體包括COF(Compound of Fluoride,含氟物質)類VOC(Volatile Organic Compounds,揮發性有機物),COF類VOC將嚴重影響廠房環境,如果TVOC監測數值高過3倍管控標準(一般的管控標準為240ug/m3)將導致全廠停線的事故。16nm工藝以下先進晶圓廠家對COF類VOC的管控標準低于5ug/m3。
實用新型內容
本實用新型提供了一種溫控裝置的加液口蓋帽及溫控裝置的排氣系統,以解決溫控裝置通過加液口蓋帽向廠房內釋放揮發性有機物的技術問題。
為解決上述技術問題,本實用新型提供了一種溫控裝置的加液口蓋帽,包括固定部、連通部、第一通氣孔、第二通氣孔、第三通氣孔、第四通氣孔、第一彈性元件、第二彈性元件、第一密封板和第二密封板;
所述固定部設置有第一內腔,所述連通部設置有第二內腔,所述第一內腔的橫截面的面積小于所述第二內腔的橫截面的面積,所述第一內腔的橫截面與所述第二內腔的橫截面平行,所述第一內腔的橫截面與所述第一內腔指向所述第二內腔的方向垂直,所述第一內腔和所述第二內腔之間具有一密封臺階;所述第一通氣孔設置在所述第一內腔的一端,所述第一內腔的另一端與所述第二內腔的一端連通;
所述第二通氣孔和所述第三通氣孔分別設置在所述連通部上,所述第二通氣孔和所述第三通氣孔分別與所述第二內腔連通;
所述第四通氣孔設置在所述第二密封板上,所述第四通氣孔用于連通所述第一內腔和所述第二內腔;
所述第一彈性部件安裝在所述第一內腔中;所述第一彈性部件的一端靠近所述第一通孔并遠離所述密封臺階,所述第一彈性部件的另一端與所述第一密封板連接;所述第一密封板在所述第一內腔和所述第二內腔中可往復移動;
所述第二彈性部件安裝在所述第二內腔中;所述第二彈性部件的一端靠近所述第二內腔的另一端并遠離所述密封臺階,所述第二彈性部件的另一端與所述第二密封板連接;所述第二密封板在所述第二內腔中可往復移動。
可選的,還包括第一密封圈,所述第一密封圈安裝在所述密封臺階上,所述第一密封圈用于密封所述密封臺階和所述第二密封板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





