[實(shí)用新型]MEMS麥克風(fēng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202220230825.2
• 申請(qǐng)日: 2022-01-27
• 公開（公告）號(hào): CN217335909U
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟燕子;榮根蘭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): H04R19/00
• 分類號(hào): H04R19/00;H04R19/04
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

公開了一種MEMS麥克風(fēng)，包括：由下至上依次層疊的襯底、第一犧牲層、下背極板、第二犧牲層、振膜、第三犧牲層、上背極板，以及第一電極和第二電極，下背極板經(jīng)由第一導(dǎo)電通道和第二導(dǎo)電通道與第一電極電連接，振膜經(jīng)由第三導(dǎo)電通道與第二電極電連接，其中，第一導(dǎo)電通道至第三導(dǎo)電通道中的至少一個(gè)包括：貫穿第二犧牲層和/或第三犧牲層的多個(gè)通孔，相鄰?fù)字g相互隔離，導(dǎo)電通道填充所述通孔。本實(shí)用新型提供的MEMS麥克風(fēng)，導(dǎo)電通道通過多個(gè)小且陣列排布的第二部分，共同將振膜和/或背極板的電極引出至上層，從而實(shí)現(xiàn)寄生電容的降低，并減少產(chǎn)品整體失效的概率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及微機(jī)電器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種MEMS麥克風(fēng)。

背景技術(shù)

MEMS電容式麥克風(fēng)以其靈敏度高、功耗低、頻率響應(yīng)平坦等諸多優(yōu)點(diǎn)而備受人們的關(guān)注，并成為當(dāng)今麥克風(fēng)市場的主流。MEMS麥克風(fēng)的工作原理是：振膜在聲波的作用下產(chǎn)生位移，使得振膜與背極板之間的距離發(fā)生變化，引起麥克風(fēng)兩個(gè)極板之間的電容發(fā)生變化，將聲波信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。

現(xiàn)階段的電容式麥克風(fēng)中，通過一個(gè)貫穿犧牲層的通孔，將下層電極引出至上層，使得麥克風(fēng)芯片上的所有電極位于同一高度，從而提高打線良率。但是單通道的連接方式，當(dāng)單個(gè)孔電性連接失效時(shí)，會(huì)導(dǎo)致麥克風(fēng)的整體失效。且將MEMS麥克風(fēng)的三個(gè)加工在同一高度，可以有效提升產(chǎn)品的打線良率。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種MEMS麥克風(fēng)，通過多個(gè)小且陣列排布的通孔，共同將振膜或背極板的電極引出至最上層，從而實(shí)現(xiàn)寄生電容的降低，并減少產(chǎn)品整體失效的概率。

根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，提供一種MEMS麥克風(fēng)，包括：由下至上依次層疊的襯底、第一犧牲層、下背極板、第二犧牲層、振膜、第三犧牲層、上背極板，以及第一電極和第二電極，所述下背極板經(jīng)由第一導(dǎo)電通道和第二導(dǎo)電通道與所述第一電極電連接，所述振膜經(jīng)由第三導(dǎo)電通道與所述第二電極電連接，其中，所述第一導(dǎo)電通道至所述第三導(dǎo)電通道中的至少一個(gè)包括：貫穿所述第二犧牲層和/或所述第三犧牲層的多個(gè)通孔，相鄰?fù)字g相互隔離，導(dǎo)電材料填充所述通孔。

可選地，所述第一導(dǎo)電通道至所述第三導(dǎo)電通道分別包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于絕緣層上，所述第二部分位于所述多個(gè)通孔中。

可選地，所述通孔沿所述襯底表面的形狀包括：圓形、矩形、三角形和邊數(shù)大于四的多邊形。

可選地，所述多個(gè)通孔呈陣列式排布。

可選地，所述通孔沿所述襯底表面的形狀包括：圓環(huán)形、矩環(huán)形、三角環(huán)形和邊數(shù)大于四的多邊環(huán)形。

可選地，所述多個(gè)通孔呈陣列式排布。

可選地，所述多個(gè)通孔呈同心陣列式排布。

可選地，所述通孔包括環(huán)形部分和圓心部分，所述多個(gè)通孔呈陣列式排布。

可選地，所述通孔的數(shù)量為3-20個(gè)。

可選地，所述通孔的直徑為10-20um。

可選地，所述通孔沿襯底表面方向的寬度為10-20um。

可選地，所述第一導(dǎo)電通道與所述振膜同時(shí)形成。

可選地，所述第二導(dǎo)電通道和/或所述第三導(dǎo)電通道與所述上背極板的導(dǎo)電層同時(shí)形成。

可選地，還包括：第三電極，所述第三電極與所述上背極板電連接。

本實(shí)用新型提供的MEMS麥克風(fēng)，通過在犧牲層中形成多個(gè)小通孔，并在多個(gè)小通孔中沉積導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電通道，從而導(dǎo)電通道貫穿犧牲層，實(shí)現(xiàn)將下層的振膜或背極板的電極引出至上層，這種采用多個(gè)小通道的方法，降低了電連接失效的幾率，且降低了相應(yīng)的接觸電阻和降低了引入的寄生電容。