[實用新型]濾波器晶圓級模組封裝結構有效
| 申請號: | 202220225692.X | 申請日: | 2022-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN216793663U | 公開(公告)日: | 2022-06-21 |
| 發明(設計)人: | 朱其壯;金科;呂軍 | 申請(專利權)人: | 蘇州科陽半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司: | 南京智造力知識產權代理有限公司 32382 | 代理人: | 張明明 |
| 地址: | 215143 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濾波器 晶圓級 模組 封裝 結構 | ||
本實用新型的濾波器晶圓級模組封裝結構,是一種模組芯片,該模組芯片由同時利用塑封料進行包封的多個不同種類芯片組成,塑封料包封芯片上表面和側壁、以及除部分金屬互聯線之外的區域,金屬互聯線和減薄后塑封料的表面制作RDL線路,減薄后塑封料和RDL線路的表面制作鈍化保護層;模組芯片內的單個芯片包括晶圓和金屬互聯線以及第一、二絕緣層,第一絕緣層位于晶圓表面,第一絕緣層暴露出部分電極、部分切割道和叉指換能器,第二絕緣層位于第一絕緣層表面,金屬互聯線覆蓋在部分電極處;第一絕緣層、第二絕緣層以及晶圓之間形成空腔。本實用新型先將形成不同空腔的芯片用塑封料包封保護,防止金屬互聯線發生氧化及芯片受潮,提高芯片密封性。
技術領域
本實用新型屬于半導體封裝技術領域,具體涉及一種濾波器晶圓級模組封裝結構。
背景技術
濾波器是一種選頻裝置,可以使信號中特定的頻率成分通過,而極大地衰減其它頻率成分。在現代通信技術領域內,幾乎沒有一個分支不受到濾波技術的影響。無線通信行業的快速發展,對濾波器提出來更高的要求,更輕、更小、更短、更薄以及更低價的微電子產品才能順應市場的需求。
當前晶圓級模組封裝的芯片體積較大,尺寸及厚度難以進一步減小;在濾波器晶圓級模組封裝時,芯片直接貼在基板上,加工效率較低。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型提供了一種濾波器晶圓級模組封裝結構,使芯片的密封性更好,避免芯片在封裝和后續的使用中受潮,可靠性更高。
本實用新型是通過以下技術手段實現上述技術目的的。
一種濾波器晶圓級模組封裝結構,所述濾波器晶圓級模組封裝結構是一種模組芯片,所述模組芯片包括多個不同種類的芯片,多個不同種類的芯片同時利用塑封料進行包封,塑封料包封芯片上表面和側壁、以及除部分金屬互聯線之外的區域,金屬互聯線和減薄后的塑封料的表面均制作有RDL線路,減薄后的塑封料和RDL線路的表面均制作有鈍化保護層;
所述芯片包括晶圓、第一絕緣層、第二絕緣層和金屬互聯線,所述第一絕緣層位于晶圓表面,所述第一絕緣層暴露出部分電極、部分切割道和叉指換能器,所述第二絕緣層位于第一絕緣層表面,所述金屬互聯線覆蓋在部分電極處;所述第一絕緣層、第二絕緣層以及晶圓之間形成空腔。
上述技術方案中,所述電極、金屬互聯線以及RDL線路電性連接。
上述技術方案中,所述空腔作為叉指換能器功能區的保護空腔。
上述技術方案中,所述RDL線路的材質為Ti、Cu、Al、Au、W、Mo的金屬單質或其合金。
上述技術方案中,所述第一絕緣層的厚度大于1um,所述第二絕緣層的厚度大于5um,所述金屬互聯線比第二絕緣層高1um以上,所述塑封料的厚度大于1um,所述RDL線路的厚度大于1um,所述鈍化保護層的厚度大于1um。
本實用新型的有益效果為:
(1)本實用新型先將單個芯片利用兩層絕緣層形成空腔保護,再將被不同空腔保護的多個芯片用塑封料包封,防止金屬互聯線發生氧化以及芯片受潮等情況的發生,保證芯片的密封性更好,封裝的芯片可靠性更高;
(2)本實用新型封裝模組貼片后的芯片為晶圓級尺寸,可以靈活選擇不同種類的芯片和各種尺寸的晶圓級封裝方案,完全兼容目前晶圓級封裝設備和工藝,實現了模組的晶圓級封裝。
附圖說明
圖1為本實用新型所述濾波器晶圓級模組封裝流程圖;
圖2為本實用新型所述制作的第一層絕緣層示意圖;
圖3為本實用新型所述制作的第二層絕緣層示意圖;
圖4為本實用新型所述制作的金屬互聯線示意圖;
圖5為本實用新型所述單顆芯片示意圖;
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