[實(shí)用新型]濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202220225692.X
• 申請日: 2022-01-27
• 公開（公告）號: CN216793663U
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱其壯;金科;呂軍
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州科陽半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L25/065
• 代理公司: 南京智造力知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32382
• 代理人: 張明明

1.一種濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)是一種模組芯片，所述模組芯片包括多個(gè)不同種類的芯片，多個(gè)不同種類的芯片同時(shí)利用塑封料(111)進(jìn)行包封，塑封料(111)包封芯片上表面和側(cè)壁、以及除部分金屬互聯(lián)線(108)之外的區(qū)域，金屬互聯(lián)線(108)和減薄后的塑封料(111)的表面均制作有RDL線路(112)，減薄后的塑封料(111)和RDL線路(112)的表面均制作有鈍化保護(hù)層(113)；

所述芯片包括晶圓(101)、第一絕緣層(104)、第二絕緣層(106)和金屬互聯(lián)線(108)，所述第一絕緣層(104)位于晶圓(101)表面，所述第一絕緣層(104)暴露出部分電極(102)、部分切割道和叉指換能器(103)，所述第二絕緣層(106)位于第一絕緣層(104)表面，所述金屬互聯(lián)線(108)覆蓋在部分電極(102)處；所述第一絕緣層(104)、第二絕緣層(106)以及晶圓(101)之間形成空腔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極(102)、金屬互聯(lián)線(108)以及RDL線路(112)電性連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述空腔作為叉指換能器(103)功能區(qū)的保護(hù)空腔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述RDL線路(112)的材質(zhì)為Ti、Cu、Al、Au、W、Mo的金屬單質(zhì)或其合金。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣層(104)的厚度大于1um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二絕緣層(106)的厚度大于5um。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬互聯(lián)線(108)比第二絕緣層(106)高1um以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述塑封料(111)的厚度大于1um。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述RDL線路(112)的厚度大于1um。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器晶圓級模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化保護(hù)層(113)的厚度大于1um。