[實用新型]一種等離子設備

有效

• 申請號: 202220088471.2
• 申請日: 2022-01-13
• 公開（公告）號: CN216773192U
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 茍先華;張彬彬;肖峰;王鵬鵬;蘇財鈺
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 李發兵

本實用新型實施例提供了一種等離子設備，包括：反應腔室，反應腔室的一端設有進氣口，另一端設有排氣口；反應托盤，反應托盤位于反應腔室中用于承載基片，其盤面與反應腔室中氣體流動的方向平行；連接軸，連接軸的一端固定在反應托盤的中軸點上，另一端穿過反應腔室的側壁與動力裝置連接；動力裝置，動力裝置用于驅動連接軸旋轉，連接軸旋轉帶動反應托盤旋轉。改進后的等離子設備中反應托盤能夠在動力裝置和連接軸的驅動下旋轉，在刻蝕中反應托盤以一定的速率旋轉，使得反應托盤上承載的基片在各個位置附近的刻蝕氣體濃度均勻，有效地避免靠近進氣口位置的基片區域較遠離進氣口位置的刻蝕氣體濃度更高，導致的刻蝕速率不相同的問題。

技術領域

本實用新型涉及半導體加工制造設備技術領域，尤其涉及一種等離子設備。

背景技術

等離子體刻蝕設備在LED行業中通常使用于材料表面的殘膠去除及表面活化。設備結構如圖1所示，主要包含設備反應腔體，進氣管路，排氣管路及反應卡夾等部分組成。刻蝕氣體從進氣管路進入設備反應腔體，通過排氣管路抽出排入尾氣處理系統，刻蝕氣體在反應腔體內平行流動。反應卡夾中待刻蝕晶圓垂直放置，可同時放置多片晶圓。刻蝕過程中刻蝕氣體通過氣體水平流動及擴散接觸待刻蝕晶圓表面并進行刻蝕，由于受到刻蝕氣體的流動及及待反應晶圓擺放位置的影響，會出現刻蝕氣體的濃度梯度。靠近氣體分流板位置反應氣體濃度較高，遠離氣體分流板的位置濃度較低。導致待反應晶圓頂部較底部刻蝕速率更快，靠近氣體分流板的晶圓較遠離氣體分流板的刻蝕速率更快，最終表現為晶圓的刻蝕均勻性差，產品良率低。

因此，如何提高等離子刻蝕設備中晶圓的刻蝕均勻性是亟需解決的問題。

實用新型內容

鑒于上述相關技術的不足，本申請的目的在于提供一種等離子設備，旨在解決目前的等離子設備在蝕刻過程中由于氣體濃度差導致的蝕刻不均勻的問題。

一種等離子設備，包括：

反應腔室，所述反應腔室的一端設有進氣口，另一端設有排氣口；

反應托盤，所述反應托盤位于所述反應腔室中用于承載基片，其盤面與所述反應腔室中氣體流動的方向平行；

連接軸，所述連接軸的一端固定在所述反應托盤的中軸點上，另一端穿過所述反應腔室的側壁與動力裝置連接；

動力裝置，所述動力裝置用于驅動所述連接軸旋轉，所述連接軸旋轉帶動所述反應托盤旋轉。

上述等離子設備，在等離子設備中增加了反應托盤、連接軸和動力裝置，其中反應托盤位于反應腔室中用于承載基片，其盤面與反應腔室中氣體流動的方向平行，這樣保證了反應托盤上的基片的放置方向與氣體流動的方向平行，減少對氣體流動的阻礙，降低了反應腔室中的氣體濃度差，同時反應托盤還可以被連接軸和動力裝置帶動在反應腔室中旋轉，讓反應托盤上的基板在反應腔室內刻蝕的更加均勻。

可選地，所述反應托盤包括至少兩層重疊的托盤，各層托盤之間的間距相同，各層托盤之間通過支撐柱連接固定。

反應托盤包括多層托盤可以增加一次刻蝕的基板數目，提高生產效率。

可選地，反應托盤的每一層托盤上均勻的放置所承載的基片。

基片均勻的放置在每一層托盤上，在托盤旋轉的過程中可以讓基片更加均勻的與刻蝕氣體接觸，從而進一步的提高刻蝕的均勻度。

附圖說明

圖1為現有的等離子刻蝕設備的結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的一種等離子設備的結構示意圖；

附圖標記說明：

110-反應腔室、111-進氣口、112-排氣口、120-反應托盤、121-基片、122-托盤、123-支撐盤、130-連接軸、140-動力裝置和A-氣體流動方向。

具體實施方式