[實用新型]承載裝置及半導體處理設備

有效

• 申請號: 202220063798.4
• 申請日: 2022-01-11
• 公開（公告）號: CN217009166U
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 張偉;朱海云
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 董琳

本申請公開一種承載裝置及半導體處理設備，能夠減少基座向邊緣環傳導的熱量，從而減少顆粒物的產生，提高薄膜制備過程中的工藝良率，還能夠進一步的減小薄膜沉積設備的維護保養次數，減小使用薄膜沉積設備的成本。本申請提供了一種承載裝置，用于半導體處理設備，包括：基座，包括加熱表面；邊緣環，環繞所述加熱表面設置，且所述邊緣環與所述基座在平行于所述加熱表面的平面上的投影至少部分重合；隔熱結構，設置于所述基座和所述邊緣環之間，用于隔開所述基座和邊緣環的直接接觸。

技術領域

本申請涉及半導體處理領域，具體涉及一種承載裝置及半導體處理設備。

背景技術

在半導體制造領域，隨著關鍵尺寸不斷減小以及溝道深寬比不斷增大，對沉積薄膜的臺階覆蓋率要求越來越高。

采用半導體薄膜沉積設備在晶圓表面沉積形成薄膜時，進行沉積工藝的反應腔室內很容易出現顆粒物，具體原因在于，在使用薄膜沉積設備進行薄膜沉積時，放置晶圓的基座具備加熱功能，環繞該基座設置的邊緣環在熱傳導作用下，也會跟隨基座升溫，導致反應物沉積在邊緣環上，在邊緣環表面形成薄膜層，該薄膜層發生脫落后，就會在薄膜沉積設備的反應腔室內產生顆粒物，影響工藝生產的結果，降低工藝良率，且增加了薄膜沉積設備的維護保養次數，提高了使用薄膜沉積設備的成本。

實用新型內容

鑒于此，本申請提供一種承載裝置及半導體處理設備，能夠減少基座向邊緣環傳導的熱量，從而減少顆粒物的產生，提高薄膜制備過程中的工藝良率，還能夠進一步的減小薄膜沉積設備的維護保養次數，減小使用薄膜沉積設備的成本。

本申請提供了一種承載裝置，用于半導體處理設備，包括：基座，包括加熱表面；邊緣環，環繞所述加熱表面設置，且所述邊緣環與所述基座在平行于所述加熱表面的平面上的投影至少部分重合；隔熱結構，設置于所述基座和所述邊緣環之間，用于隔開所述基座和邊緣環的直接接觸。

可選的，所述隔熱結構與所述基座之間形成有間隙，且所述間隙在垂直所述加熱表面方向上的尺寸至少為1mm。

可選的，所述隔熱結構和所述邊緣環環繞所述加熱表面的側面與所述基座之間具有空隙，所述基座的邊緣區域具有垂直于所述加熱表面的通氣孔，所述通氣孔與所述空隙連通。

可選的，所述隔熱結構與所述邊緣環一體化設置。

可選的，所述隔熱結構焊接至所述邊緣環的下表面。

可選的，所述隔熱結構為不銹鋼隔熱墊、石棉隔熱墊、氣凝膠隔熱墊、硅酸鋁隔熱墊以及巖棉隔熱墊中的至少一種。

可選的，所述隔熱結構的硬度大于所述邊緣環的硬度。

可選的，所述隔熱結構包括隔熱殼體和填充于所述隔熱殼體內的隔熱體。

可選的，所述隔熱殼體包括不銹鋼殼體、石棉殼體、巖棉殼體、硅酸鋁殼體以及氣凝膠殼體，所述隔熱體包括氫氣、硅酸鋁塊、巖棉、石棉以及不銹鋼中的至少一種。

本申請提供了一種半導體處理設備，包括上述承載裝置。

本申請中的承載裝置以及半導體處理設備通過設置隔熱結構隔開基座和邊緣環的直接接觸，使得基座的加熱表面與邊緣環之間的熱傳導可以被隔熱結構阻斷或降低，基座的溫度難以傳導到邊緣環，在進行薄膜沉積操作時，減少了反應氣體因邊緣環的溫度較高造成的沉積，邊緣環上的成膜速率變慢，增大了零部件的使用壽命，減少了反應腔室內沉積材料脫落造成的顆粒物。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請一實施例中的承載裝置的結構示意圖。