[實用新型]一種雙焊點半導體器件封裝結構

有效

• 申請號: 202220051267.3
• 申請日: 2022-01-10
• 公開（公告）號: CN217361568U
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 岳揚;田哲偉
• 申請（專利權）人: 浙江谷藍電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/488
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳軼淳

本實用新型提供一種雙焊點半導體器件封裝結構，包括一塑封體，所述塑封體內部具有金屬基板、半導體芯片和第一金屬基島；所述半導體芯片焊接于所述金屬基板的上表面；所述第一金屬基島通過至少一條第一鍵合線與所述半導體芯片連接；其中，每條所述第一鍵合線具有第一焊點和第二焊點，通過所述第一焊點與所述第二焊點焊接在所述半導體芯片上。通過在芯片上增加第二焊點，增強了芯片的均流能力，提高引線鍵合強度，降低了電流過度集中于一點引發的熱失效概率，有助于提高器件的穩定性和壽命，增加可靠性，進一步提高了產品的良品率，大幅提升器件的電壓、電流導通能力，進而提高半導體器件的性能。

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種雙焊點半導體器件封裝結構。

背景技術

半導體功率器件泛指應用于控制大電流(100A以上)或高電壓(1200V以上)的功率處理類半導體器件，其主要類型有功率二極管、功率MOSFET管、晶閘管、IGBT等，是電力電子和信息技術等領域最基礎和核心的技術。

TO-263作為當前一種主流的貼片式封裝，市場需求很大。但傳統的TO-263的內部芯片與引腳之間大多采用兩點鍵合。但隨著器件向大電流高電壓的發展，芯片尺寸相應增大，器件性能要求更高，傳統的兩點鍵合容易導致芯片均流能力不足，大電流器件熱失效概率大。

實用新型內容

基于現有技術中的問題，本實用新型提供一種雙焊點半導體器件封裝結構，旨在解決現有技術中半導體功率器件芯片均流能力不足、熱失效概率大等技術問題。

一種雙焊點半導體器件封裝結構，包括一塑封體，所述塑封體內部具有金屬基板、半導體芯片和第一金屬基島；

所述半導體芯片焊接于所述金屬基板的上表面；

所述第一金屬基島通過至少一條第一鍵合線與所述半導體芯片連接；

其中，每條所述第一鍵合線具有第一焊點和第二焊點，通過所述第一焊點與所述第二焊點焊接在所述半導體芯片上。

進一步的，所述塑封體內還包括第二金屬基島；

所述第二金屬基島與所述半導體芯片通過第二鍵合線連接。

進一步的，所述第一金屬基島和第一引腳連接，所述第二金屬基島和第二引腳連接；

所述第一引腳和所述第二引腳延伸至所述塑封體的外部。

進一步的，所述金屬基板的厚度范圍為1.0mm～1.5mm。

進一步的，所述第一鍵合線的數量為1～6，所述第一鍵合線采用鋁線。

進一步的，所述第二鍵合線采用鋁線。

進一步的，所述第一引腳和所述第二引腳分別具有連接的第一部分和第二部分；

所述第一金屬基島與所述第一引腳的第一部分連接，所述第二金屬基島與所述第二引腳的第一部分連接；

所述第一引腳的第一部分和所所述第二引腳的第一部分延伸至所述塑封體的外部；

所述第一引腳的第二部分和所述第二引腳的第二部分均為彎折部，且彎折后的底面與所述金屬基板的下表面共平面。

進一步的，所述第一引腳和所述第二引腳的厚度分別為0.2mm～0.8mm。

進一步的，所述第一部分的寬度大于所述第二部分的寬度。

進一步的，所述第一部分的寬度為1.0mm～1.5mm；所述第二部分的寬度為0.5mm～1mm。