[實(shí)用新型]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202220025795.1
• 申請(qǐng)日: 2022-01-07
• 公開（公告）號(hào): CN217641334U
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 荒井伸也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11582
• 分類號(hào): H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11556;H01L27/11524
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其具備：

層疊體，其包含多個(gè)第1導(dǎo)電層和多個(gè)絕緣層，所述多個(gè)第1導(dǎo)電層和所述多個(gè)絕緣層沿第1方向一層一層交替地層疊而成；

柱狀體，其在所述層疊體內(nèi)沿所述第1方向延伸；及

第2導(dǎo)電層，其與所述柱狀體連接，

所述柱狀體包含絕緣芯、設(shè)置于所述多個(gè)第1導(dǎo)電層與所述絕緣芯之間的存儲(chǔ)器膜、和設(shè)置于所述絕緣芯與所述存儲(chǔ)器膜之間的半導(dǎo)體通道，

所述絕緣芯的上表面與所述柱狀體的上端相比位于下方，

所述第2導(dǎo)電層具有主體部和突出部，所述突出部從所述主體部朝向所述絕緣芯的上表面突出，在所述柱狀體的內(nèi)部沿所述第1方向延伸，

所述突出部在所述突出部的底面或側(cè)面中與所述半導(dǎo)體通道相接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述突出部的與所述半導(dǎo)體通道相接觸的面中的至少一部分在所述第1方向上位于下述位置：與所述層疊體中所含的所述多個(gè)第1導(dǎo)電層中的位于最上部的第1導(dǎo)電層相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述半導(dǎo)體通道將所述絕緣芯的所述上表面覆蓋，所述半導(dǎo)體通道的上表面與所述突出部的所述底面相接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述半導(dǎo)體通道向比所述突出部的所述底面更靠上方延伸，所述突出部的所述側(cè)面與所述半導(dǎo)體通道的內(nèi)周面相接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其進(jìn)一步具備設(shè)置于所述第2導(dǎo)電層與所述層疊體之間的中間層，所述突出部的所述底面向比所述中間層的下表面更靠下方突出。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其具備：

第1芯片，其包含所述層疊體、所述柱狀體和第1焊盤；及

第2芯片，其具有晶體管和設(shè)置于比所述晶體管更靠上方的第2焊盤，

所述第1芯片與所述第2芯片通過所述第1焊盤及所述第2焊盤而貼合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)器膜的一部分向比所述層疊體的所述上表面更靠上方延伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述柱狀體在所述層疊體內(nèi)具有第1柱狀部和在所述第1方向上與所述第1柱狀部連接的第2柱狀部，所述第2柱狀部的外周長比所述第1柱狀部的外周長短。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述第2導(dǎo)電層中的與所述半導(dǎo)體通道相接觸的部分被硅化物化。