[實(shí)用新型]硅外延用石墨基座有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202220023958.2 | 申請日： | 2022-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN217298088U | 公開（公告）日： | 2022-08-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王剛;袁肇耿;吳曉琳;馮聚坤;張曉博;王凱達(dá) | 申請（專利權(quán)）人： | 河北普興電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/12 | 分類號： | C30B25/12 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120 | 代理人： | 張一 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 外延 石墨 基座 | ||
本實(shí)用新型提供了一種硅外延用石墨基座，所述硅外延用石墨基座部件包括石墨基座本體，設(shè)有存放凹槽，用以存放襯底基片，存放凹槽為圓形，存放凹槽槽底為弧形面，且存放凹槽槽底開設(shè)有若干排氣孔，若干排氣孔均布在存放凹槽槽底。本實(shí)用新型提供的硅外延用石墨基座，能夠完全與受熱膨脹變形后的襯底基片貼合，襯底基片與石墨基座直接接觸，確保襯底基片受熱均勻。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅外延用石墨基座。
背景技術(shù)
單晶硅外延片是指在一塊加熱到適當(dāng)溫度的單晶硅襯底上，通過化學(xué)氣相沉積法，將硅原子沉積，生長出特定的單晶薄膜。外延片生長技術(shù)處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的上游環(huán)節(jié)，是整個(gè)后續(xù)工序的基礎(chǔ)，對最終產(chǎn)品品質(zhì)，產(chǎn)品成本控制影響最大。目前用于承載襯底基片的裝置包括石墨預(yù)熱環(huán)和設(shè)置在石墨預(yù)熱環(huán)中間的石墨基座，襯底基片放置在石墨基座的凹槽上。
但是，在生產(chǎn)過程中，襯底基片常常出現(xiàn)受熱不均的情況，導(dǎo)致生長出的單晶薄膜質(zhì)量低下，達(dá)不到預(yù)期效果。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種硅外延用石墨基座，旨在使襯底基片在石墨基座上受熱均勻。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：提供一種硅外延用石墨基座，包括：
石墨基座本體，設(shè)有存放凹槽，用以存放襯底基片，所述存放凹槽為圓形，所述存放凹槽槽底為弧形面，且所述存放凹槽槽底開設(shè)有若干排氣孔，若干所述排氣孔均布在所述存放凹槽槽底。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述放凹槽槽底中心在豎直方向上的高度低于槽底邊緣在豎直方向上的高度，以貼合受熱后的襯底基片。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述石墨基座本體上還設(shè)有環(huán)形臺階，所述環(huán)形臺階設(shè)在所述存放凹槽的上側(cè)。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述環(huán)形臺階的軸線與所述存放凹槽的軸線重合。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述環(huán)形臺階的臺階面為朝向所述存放凹槽軸線的斜面，所述臺階面的下側(cè)邊緣與所述存放凹槽的側(cè)壁連接。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述臺階面與所述存放凹槽的上表面的夾角為5°到20°。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述臺階面與所述存放凹槽的上表面的夾角為15°。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，若干所述排氣孔為800到1000個(gè)。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述石墨基座本體上涂覆有碳化硅涂層。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述存放凹槽的尺寸為6英寸或者8英寸。
本實(shí)用新型提供的硅外延用石墨基座的有益效果是：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的硅外延用石墨基座上的存放凹槽槽底為弧形面，能夠完全與受熱膨脹變形后的襯底基片貼合，襯底基片與石墨基座直接接觸，確保襯底基片受熱均勻，同時(shí)在存放凹槽槽底均勻開設(shè)有若干排氣孔，一方面，用來排出氣體，便于襯底基片落入存放凹槽內(nèi)，另一方面，由于若干排氣孔均勻布設(shè)在存放凹槽的槽底上，能夠確保襯底基片受熱均勻。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的硅外延用石墨基座的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的硅外延用石墨基座的主視結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為沿圖2中A-A線的剖視結(jié)構(gòu)圖；
附圖標(biāo)記說明：
10、石墨基座本體；11、存放凹槽；12、排氣孔；13、環(huán)形臺階。
具體實(shí)施方式
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